반도체 베이스 상에 금속 페이스트를 이용하여 적어도 하나의 예비 전극을 형성하는 단계; 및상기 예비 전극 및 상기 반도체 베이스 사이에 연결된 전원을 이용하여 상기 예비 전극을 통하여 상기 반도체 베이스에 전자를 공급하면서 상기 예비 전극을 소성하여, 상기 예비 전극을 전극으로 변환시키는 단계를 포함하는 반도체 전극 구조물의 형성 방법.

제1항에 있어서, 상기 반도체 베이스에 전자를 공급하면서 상기 예비 전극을 소성하는 단계는, 상기 반도체 베이스 및 상기 전극들 사이의 계면에 금속 연결체를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 전극 구조물의 형성 방법.

제1항에 있어서, 상기 예비 전극을 형성하는 단계 이전에,상기 반도체 베이스 상에 제1 타입의 도펀트로 도핑하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 전극 구조물의 형성 방법.

제1항에 있어서, 상기 예비 전극을 형성하는 단계 이전에, 제1 타입의 도펀트로 도핑된 제1 반도체층을 준비하는 단계: 및상기 제1 반도체층의 상부에 제2 타입의 도펀트로 도핑하여 상기 제1 반도체층의 상부를 제2 반도체층으로 변환시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 전극 구조물의 형성 방법.

제4항에 있어서, 상기 예비 전극은 복수로 구비되며, 상기 예비 전극을 형성하는 단계는 상기 제1 반도체층에 복수의 예비 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 전극 구조물의 형성 방법.

제4항에 있어서, 상기 예비 전극은 복수로 구비되며, 상기 예비 전극을 형성하는 단계는 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 각각 복수의 예비 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 전극 구조물의 형성 방법.

제1항에 있어서, 상기 반도체 베이스는 결정질 실리콘, 비정질 실리콘, 실리콘 화합물, 또는 화합물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 전극 구조물의 형성 방법.

제1항에 있어서, 상기 예비 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 반도체 베이스 상에 투명 도전막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 전극 구조물의 형성 방법.

n-type 실리콘 기판을 준비하는 단계; 상기 실리콘 기판 상부에 p-type 불순물을 도핑하여 상기 n-type 실리콘 기판과 PN 접합을 이루는 p-type 반도체층을 형성하는 단계; 상기 p-type 반도체층 상에 금속 페이스트를 이용하여 예비 전면 전극을 형성하는 단계; 및상기 예비 전면 전극 및 상기 n-type 실리콘 기판 사이에 연결된 전원을 이용하여 상기 n-type 실리콘 기판으로부터 상기 예비 전면 전극을 통하여 상기 p-type 반도체층에 전자를 공급하면서 상기 예비 전면 전극에 대하여 소성 공정을 수행하여, 상기 예비 전면 전극을 전면 전극으로 전환시키는 단계를 포함하는 실리콘 태양 전지의 제조 방법.

제9항에 있어서, 상기 금속 페이스트는 은(Ag) 분말 및 글라스 프릿을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.

제9항에 있어서, 상기 p-type 반도체층에 전자를 공급하면서 상기 예비 전면 전극에 대하여 소성 공정을 수행하는 단계는, 상기 p-type 반도체층 및 상기 전면 전극 사이의 계면에 금속 연결체를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.

제11항에 있어서, 상기 금속 연결체는 금속 크리스탈라이트 또는 금속 덴드라이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양 전지의 제조 방법.