다수 개의 자화방향을 형성하고 이에 대응되는 저항값을 기록하여 십진법 정보 처리가 가능한 나노 전자 소자에 있어서,기판; 및상기 기판 상에 박막 증착 기법을 이용하여 형성되고, 쓰기(write) 동작시, 펄스 형태로 전류를 인가하여 유도 자기장을 형성하거나 스핀 토크 전달에 의해, 양축 자기 이방성(Cubic or four-fold anisotropy)을 갖는 다축자화 강자성 물질을 다중 자화 도메인 상태(multi-domain state)로 만들고,상기 다중 자화 도메인 상태에 따라 달라지는 다중상태에 대한 다수의 터넬링 저항값(tunneling magnetoresistance)을 기록하여 다중의 정보를 저장하는 다축자화 강자성층;으로 이루어지며,포토리소그래피(Photolithography) 공정을 이용하여 터넬링 구조로 공정되며,상기 다축자화 강자성층은상기 기판의 상부에 다축자화 강자성 물질로 형성되는 제 1 다축자화 강자성층, 상기 제 1 다축자화 강자성층의 상부에 비자성 물질로 형성되는 비자성 분리층, 상기 비자성 분리층의 상부에 다축자화 강자성 물질로 형성되는 제 2 다축자화 강자성층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자.

제 1항에 있어서,상기 기판은P 타입 GaAs으로 형성되며,상기 기판의 상부에 Be로 도핑된 GaAs 층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자.

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제 1항에 있어서,상기 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자는상기 제 2 다축자화 강자성층의 상부에 보호막층이 형성되며,상기 기판과 상기 보호막층이 전류단자로 구성되는 터넬링 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자.

제 4항에 있어서,상기 터넬링 구조는읽기(read) 동작시, 상기 전류단자에 센싱 전류를 흘려보내서 저장된 다수의 터넬링 저항값을 측정하여 논리값을 센싱하는 것을 특징으로 하는 십진법 정보 처리를 위한 나노 전자 소자.