| 번호 | 청구항 |
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| 1 | (a) 다공성 템플레이트에 금속을 증착시키는 단계; (b) 파이 공액 구조를 가지는 유기 단분자 분말을 상기 다공성 템플레이트 사이에 분포시키는 단계; 및 (c) 상기 분말이 분포된 상기 다공성 템플레이트에 가스를 보내주면서 동시에 상기 다공성 템플레이트를 가열시키는 단계를 포함하는 유기 단분자 나노선 제조방법. |
| 2 | 제 1항에 있어서, (c)단계는 가열로(furnace)에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 단분자 나노선 제조방법. |
| 3 | 제 1항에 있어서, (c)단계 이후에, (d) 상기 다공성 템플레이트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 단분자 나노선 제조방법. |
| 4 | 제 3항에 있어서, 상기 다공성 템플레이트의 제거하는 단계는 상기 다공성 템플레이트를 HF 또는 NaOH 수용액에 침지시키는 것을 특징으로 하는 유기 단분자 나노선 제조방법. |
| 5 | 제 1항에 있어서, 상기 파이 공액 구조를 가지는 유기 단분자는 루브린(rubrene)인 것을 특징으로 하는 유기 단분자 나노선 제조방법. |
| 6 | 제 1항에 있어서, 상기 금속은 금(Au), 은(Ag) 또는 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는 유기 단분자 나노선 제조방법. |
| 7 | 제 1항에 있어서, 상기 다공성 템플레이트는 알루미나(Al2O3)인 것을 특징으로 하는 유기 단분자 나노선 제조방법. |
| 8 | 제 1항에 있어서, 상기 가스는 질소(N2) 또는 불활성 기체인 것을 특징으로 하는 유기 단분자 나노선 제조방법. |
| 9 | 제 8항에 있어서, 상기 불활성 기체는 아르곤(Ar) 또는 네온(Ne)인 것을 특징으로 하는 유기 단분자 나노선 제조방법. |
| 10 | 제 1항에 있어서, 상기 가스의 유속은 50 내지 200cm3/min인 것을 특징으로 하는 유기 단분자 나노선 제조방법. |
| 11 | 제 1항에 있어서, 상기 가열하는 온도는 200 내지 310℃인 것을 특징으로 하는 유기 단분자 나노선 제조방법. |
| 12 | 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 의해 제조된 유기 단분자 나노선. |
| 13 | 제 12항에 있어서, 상기 유기 단분자 나노선은 루브린 나노선이고, 상기 루브린 나노선은 직경이 100 내지 200nm, 길이가 50 μm인 것을 특징으로 하는 유기 단분자 나노선. |
| 14 | 제 12항에 있어서, 상기 유기 단분자 나노선은 루브린 나노선이고, 상기 루브린 나노선은 570 내지 650nm 에너지 영역에서 최대 발광 피크가 나타나는 것을 특징으로 하는 유기 단분자 나노선. |
