| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 티오펜, 3-메틸 티오펜, 3-헥실 티오펜 및 3-옥틸 티오펜으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 단량체를 전기적 중합하여 얻어지며, 직경이 150∼250nm, 길이가 7∼30㎛이고, 480∼560nm에서 최대발광피크가 나타나며, 6V/㎛에서 턴온되고, 6V/㎛ 초과 내지 12V/㎛ 이하에서는 0 초과 내지 0.8mA/cm2 이하의 전류가 흘러 전계방출 효과를 보이는 것을 특징으로 하는 폴리티오펜계 고분자 나노소재로서; 상기 고분자 나노소재는 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트(TBAPF6), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(BMIMPF6), p-도데실벤젠설폰산(DBSA), 테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트(TBABF4), 및 테트라부틸암모늄 트리플루오로메탄설포네이트(TBACF3SO3)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 도펀트에 의해 도핑되고; 상기 나노소재는 나노튜브 또는 나노와이어이며; 상기 나노소재는 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트로 도핑된 폴리(3-헥실티오펜) 나노선이고, 전도도가 8 x 10-3 S/cm 이상인 것을 특징으로 하는 폴리티오펜계 고분자 나노소재. |
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| 6 | (a) 극성용매에 티오펜, 3-메틸 티오펜, 3-헥실 티오펜 및 3-옥틸 티오펜으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 단량체와 도펀트를 첨가하고 교반하여 전기화학 중합용액을 제조하는 단계; (b) 나노 기공을 갖는 알루미나 템플레이트의 한쪽 면에 금속을 증착시킨 후 스테인레스 전극에 부착시키는 단계; (c) 스테인레스 전극과 상기 중합용액이 접촉되지 않도록 실리콘 테이프로 상기 알루미나 템플레이트 주위를 둘러싸는 단계; (d) 상기에서 제조된 전극과 또 다른 스테인레스 전극을 일정 간격을 두고 상기 중합용액에 침지시키는 단계; (e) 전극 양단간에 전류를 인가하여 중합용액 내의 단량체를 상기 알루미나 템플레이트의 기공 내에서 -40℃의 반응온도를 유지시키며 나노소재로 전기적 중합시키는 단계; 및 (f) 상기 나노소재가 삽입되어 있는 알루미나 템플레이트만을 NaOH를 이용하여 제거함과 동시에 디도핑시키거나, HF 수용액을 이용하여 제거한 후 디도핑시킴으로써 광학특성을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리티오펜계 고분자 나노소재의 광학특성 조절방법. |
| 7 | 제 6항에 있어서, 상기 극성용매는 H2O, 아세토니트릴 및, N-메틸 피롤리디논으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 폴리티오펜계 고분자 나노소재의 광학특성 조절방법. |
| 8 | 제 6항에 있어서, 상기 도펀트는 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트(TBAPF6), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(BMIMPF6), p-도데실벤젠설폰산(DBSA), 테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트(TBABF4), 및 테트라부틸암모늄 트리플루오로메탄설포네이트(TBACF3SO3)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 폴리티오펜계 고분자 나노소재의 광학특성 조절방법. |
| 9 | 제 6항에 있어서, 상기 금속은 금, 은, 백금, 스테인레스, ITO 또는 이들의 복합체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 폴리티오펜계 고분자 나노소재의 광학특성 조절방법. |
| 10 | 제 6항에 있어서, 상기 광학특성을 조절하는 단계는 상기 알루미나 템플레이트를 NaOH 수용액에 침지시킴으로써 발광세기를 증가시키고 최대발광피크를 적색천이시키는 것을 특징으로 하는 폴리티오펜계 고분자 나노소재의 광학특성 조절방법. |
