| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 4 | 제3항에 있어서,상기 촉매 금속은 Co, Ni, Fe 또는 Pt 중의 어느 하나임을 특징으로 하는 나노 판 다이아몬드 형성 방법. |
| 5 | 제1항에 있어서, 상기 나노틀은 양극산화 알루미늄 나노틀임을 특징으로 하는 나노 판 다이아몬드 형성 방법 |
| 1 | 나노 판 다이아몬드 형성 방법에 있어서,다수의 공극을 가지는 나노 틀을 제공하는 단계; 전기화학적 방법을 사용하여 상기 나노틀의 공극으로 나노 판 다이아몬드를 형성하는 단계; 및 상기 나노 틀을 제거하여 상기 나노 판 다이아몬드를 분리하는 단계를 포함하는 나노 판 다이아몬드 형성 방법. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 나노 틀을 제공하는 단계 다음에 상기 나노 틀의 하단부에 Au 전도체를 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 판 다이아몬드 형성 방법. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 나노틀 제공 단계 다음에 상기 나노 판 다이아몬드 형성의 촉매 금속을 상기 나노틀에 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 판 다이아몬드 형성 방법. |
| 6 | 나노 판 다이아몬드 형성 방법에 있어서,다수의 공극을 가지는 나노 틀의 하단부에 전도체를 증착하는 단계; 전기화학적 방법을 사용하여 상기 나노틀의 공극으로 나노 판 다이아몬드를 형성하는 단계; 및 상기 나노 틀을 제거하여 상기 나노 판 다이아몬드를 분리하는 단계를 포함하는 나노 판 다이아몬드 형성 방법. |