제9항에 있어서,상기 플루오린은 상기 실리콘 나노 음극재 전체 100 at%에 대해서 1 내지 10 at% 존재하는,실리콘 나노 음극재의 제조 방법.

제9항에 있어서,상기 (S2) 단계는 하기 반응식 (1) 내지 (3)을 만족하는,실리콘 나노 음극재의 제조 방법.[반응식]Na2SiF6 (s) → 2NaF (s) + SiF4 (g) (1)SiF4 (g) + 2Mg (l) → Si (s) + 2MgF2 (s) (2)NaF (s) + MgF2 (s) → NaMgF3 (s) (3)

제9항에 있어서,상기 (S2) 단계는 600 내지 1000℃의 온도로 소성하는,실리콘 나노 음극재의 제조 방법.

제9항에 있어서,상기 (S2) 단계는 N2 또는 비활성기체 분위기 하에서 소성하는,실리콘 나노 음극재의 제조 방법.

제9항에 있어서,상기 실리콘 나노 음극재는 XRD(x-ray diffraction)에서 상기 실리콘 결정 구조 외의 피크를 포함하지 않는,실리콘 나노 음극재의 제조 방법

결정질 실리콘 입자를 포함하고,상기 결정질 실리콘 입자는 결정 구조의 격자 내부 및 표면에 플루오린을 포함하고,전자 전도도는 0.8 내지 2.0 S/cm인,실리콘 나노 음극재.

제1항에 있어서,상기 실리콘 나노 음극재는 XRD(x-ray diffraction)에서 상기 실리콘 결정 구조 외의 피크를 포함하지 않는,실리콘 나노 음극재.

제1항에 있어서,상기 실리콘 나노 음극재의 탭 밀도(tap density)는 0.1 내지 0.3 g/cm3인,실리콘 나노 음극재.

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제1항에 있어서,상기 결정질 실리콘 입자는 10 내지 50 nm의 평균 입경을 갖는 1차 입자이며,상기 실리콘 나노 음극재는 상기 1차 입자가 복수 개로 응집되어 형성된 2차 입자를 포함하는,실리콘 나노 음극재.

제1항에 있어서,상기 플루오린은 상기 실리콘 나노 음극재 전체 100 at%에 대해서 1 내지 10 at% 존재하는,실리콘 나노 음극재.

제1항에 있어서,상기 실리콘 나노 음극재는 소수성을 갖는,실리콘 나노 음극재.

제7항에 있어서,상기 소수성은 접촉각 측정 장치(contact angle measurement)에서 물에 대한 접촉각을 형성하지 않는 수준을 의미하는,실리콘 나노 음극재.

(S1) 실리콘 및 플루오린을 포함하는 고체상의 원료 물질 및 고체상의 환원제를 균일하게 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; 및(S2) 상기 혼합물을 소성하여 결정질 실리콘 입자를 포함하는 실리콘 나노 음극재를 수득하는 단계;를 포함하고,상기 (S2) 단계에서 상기 원료 물질로부터 기체상의 SiF4가 발생하고,상기 기체상의 SiF4를 상기 결정질 실리콘 입자로 환원하는 과정을 포함하며,상기 결정질 실리콘 입자는 결정 구조의 격자 내부 및 표면 중 적어도 어느 하나 이상에 플루오린을 포함하는,실리콘 나노 음극재의 제조 방법.

제9항에 있어서,상기 (S2) 단계는 상기 실리콘 나노 음극재 외에 불순물을 제거하기 위해 산성 용액에 침지한 뒤 세척 및 건조하는 과정을 더 포함하는,실리콘 나노 음극재의 제조 방법.

제9항에 있어서,상기 원료 물질 및 상기 환원제의 중량비는 1:0.1 내지 1:1를 만족하는,실리콘 나노 음극재의 제조 방법.

제9항에 있어서,상기 혼합물은 부산물 제거제를 더 포함하며, 상기 환원제 및 상기 부산물 제거제의 중량비는 1:0.5 내지 1:3을 만족하는,실리콘 나노 음극재의 제조 방법.

제9항에 있어서,상기 원료 물질은 고체상의 Na2SiF6을 포함하고,상기 환원제는 고체상의 Mg, Be, Al, Y, Zr, Sc, Hf, Li, Ca, K, Ba, Ce, Sr, Na, Th, La 및 Ac 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는,실리콘 나노 음극재의 제조 방법.

양극;,음극; 및상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 전해질;을 포함하며,상기 음극은 실리콘 나노 음극재를 포함하며,상기 실리콘 나노 음극재는 결정질 실리콘 입자를 포함하고,상기 결정질 실리콘 입자는 결정 구조의 격자 내부 및 표면에 플루오린을 포함하고,상기 실리콘 나노 음극재의 전자 전도도는 0.8 내지 2.0 S/cm인,리튬 이차전지.