리튬 친화성 고분자, 3차원 구조 및 기공을 포함하고,상기 기공은 기공 분포 그래프의 반치폭(full width at half maximum, FWHM)이 0.01 내지 1.0 μm인,다공성 구조체.

제1항에서,상기 다공성 구조체의 기공률은 40 내지 75%인,다공성 구조체.

제2항에서,상기 다공성 구조체의 기공률은 60 내지 75%인,다공성 구조체.

제1항에서,하기 식 1을 만족하는,[식 1]0 μm ≤ D70-D30 ≤ 0.50 μm(상기 식 1의 DI에서 I는 상기 기공 분포 그래프의 0 μm 부터의 적분 값이며, DI는 I를 만족하는 지점에서의 기공 직경이다.)다공성 구조체.

제4항에서,하기 식 2를 만족하는,[식 2]0 μm ≤ D80-D20 ≤ 0.80 μm(상기 식 2의 DI에서 I는 상기 기공 분포 그래프의 0 μm 부터의 적분 값이며, DI는 I를 만족하는 지점에서의 기공 직경이다.)다공성 구조체.

제1항에서,상기 기공의 최대 피크에서의 직경은 0.05 내지 0.5 μm인,다공성 구조체.

제6항에서,상기 기공의 최대 피크에서의 직경은 0.3 내지 0.5 μm인,다공성 구조체.

제1항에서,상기 다공성 구조체의 두께는 5 내지 60 μm인,다공성 구조체.

(S1) 리튬 친화성 고분자, 도전재 및 용매를 혼합 및 교반하여 슬러리를 제조하는 단계;(S2) 상기 슬러리를 기재 위에 도포하는 단계; 및(S3) 상기 슬러리를 도포한 기재를 비용매가 담긴 수조에 넣어 다공성 구조체를 형성하는 단계;를 포함하며,상기 비용매의 RHSP(hansen solubility parameter distance)의 값은 25 내지 29를 만족하는다공성 구조체의 제조 방법.

제9항에서,상기 슬러리는 전체 100중량%에 대해서,상기 리튬 친화성 고분자를 3 내지 20중량%, 상기 도전재를 0.4 내지 2중량% 및 잔부인 용매을 포함하는,다공성 구조체의 제조 방법.

제9항에서,상기 비용매의 RHSP의 값은 25 내지 27를 만족하는,다공성 구조체의 제조 방법.

제9항에서,상기 기재는 집전체 및 다공성 기재 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는,다공성 구조체의 제조 방법.

양극;,음극; 및상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 전해질;을 포함하고,상기 음극은 제1항 내지 제12항의 다공성 구조체를 포함하는,리튬 이차전지.