제1 다공성 구조체; 및상기 제1 다공성 구조체 상에 위치하는 제2 다공성 구조체;를 포함하고,상기 제2 다공성 구조체는 리튬 친화성 고분자, 3차원 구조 및 기공을 포함하며,상기 기공은 기공 분포 그래프의 반치폭(full width at half maximum, FWHM)이 0.01 내지 1.0 μm인,다공성 구조체.

제1항에서,상기 제2 다공성 구조체의 기공률은 40 내지 75%인,다공성 구조체.

제1항에서,상기 제2 다공성 구조체는 하기 식 1을 만족하는,[식 1]0 μm ≤ D70-D30 ≤ 0.50 μm(상기 식 1의 DI에서 I는 상기 기공 분포 그래프의 0 μm 부터의 적분 값이며, DI는 I를 만족하는 지점에서의 기공 직경이다.)다공성 구조체.

제3항에서,상기 제2 다공성 구조체는 하기 식 2를 만족하는,[식 2]0 μm ≤ D80-D20 ≤ 0.80 μm(상기 식 2의 DI에서 I는 상기 기공 분포 그래프의 0 μm 부터의 적분 값이며, DI는 I를 만족하는 지점에서의 기공 직경이다.)다공성 구조체.

제1항에서,상기 기공의 최대 피크에서의 직경은 0.05 내지 0.5 μm인,다공성 구조체.

제1항에서,상기 다공성 구조체의 전자 전도도는 0.2 내지 0.6×10-2 S/cm인,다공성 구조체.

제1항에서,상기 다공성 구조체 및 Cu 호일의 이온 전도도의 차는 0.1×10-3 S/cm 이상인,다공성 구조체.

제1항에서,상기 제1 다공성 구조체 및 상기 제2 다공성 구조체의 전자 전도도의 차는 0.2×10-2 S/cm 이상인,다공성 구조체.

제1항에서,상기 제1 다공성 구조체 및 제2 다공성 구조체는 CNT를 더 포함하며,상기 제1 다공성 구조체 및 상기 제2 다공성 구조체의 CNT 중량%의 차이는 60 내지 80중량%인,다공성 구조체.

제9항에서,상기 CNT는 SWCNT(single-walled carbon nanotube) 및 TWCNT(thin-walled carbon nanotube) 중 적어도 어느 하나 이상인,다공성 구조체.

제1항에서,상기 제1 다공성 구조체는 박막 형태인,다공성 구조체.

제1항에서,상기 다공성 구조체의 두께는 10 내지 90 μm인,다공성 구조체.

(S1) 리튬 친화성 고분자, 도전재 및 용매를 혼합 및 교반하여 슬러리를 제조하는 단계;(S2) 상기 슬러리를 다공성 기재 위에 도포하는 단계; 및(S3) 상기 슬러리를 도포한 다공성 기재를 비용매가 담긴 수조에 넣어 다공성 구조체를 형성하는 단계;를 포함하며,상기 비용매의 RHSP(hansen solubility parameter distance)의 값은 25 내지 29를 만족하는,다공성 구조체의 제조 방법.

제13항에서,상기 슬러리는 전체 100중량%에 대해서,상기 리튬 친화성 고분자를 3 내지 20중량%, 상기 도전재를 0.4 내지 2중량% 및 잔부인 용매을 포함하는,다공성 구조체의 제조 방법.

제13항에서,상기 비용매의 RHSP의 값은 25 내지 27를 만족하는,다공성 구조체의 제조 방법.

제13항에서,상기 다공성 기재는 제1 다공성 구조체를 포함하고,상기 제1 다공성 구조체는 CNT를 포함하는 박막 형태인,다공성 구조체의 제조 방법.

다공성 구조체 및 리튬 금속을 포함하고,상기 리튬 금속은 상기 다공성 구조체 내부 및 외부 중 적어도 어느 하나 이상에 위치하며,하기 식 3 및 식 4를 만족하는리튬 금속 전극.[식 3]1 ≤ LME/HCA ≤ 1.3[식 4]-1 ≤ △y/△x ≤ 1(상기 식 3에서 LME는 상기 리튬 금속 전극 단면 두께이며, HCA는 상기 다공성 구조체 단면 두께이고,상기 식 4에서 x는 상기 리튬 금속 전극 단면의 왼쪽에서 오른쪽으로의 위치이며, y는 x에서의 상기 리튬 금속 전극의 높이이고,△y/△x는 x값의 변화량에 대한 y값의 변화량의 비이다.)

제17항에서, 하기 식 5 및 식 6을 만족하는, 리튬 금속 전극.[식 5]1 ≤ H2/H1 ≤ 1.2[식 6]1 ≤ v2/v1 ≤ 7(상기 식 5에서 Hn은 리튬 충전 이후 상기 리튬 금속 전극 단면의 두께이며, 상기 식 6에서 vn은 두께 Hn를 갖는 상기 리튬 금속 전극의 리튬 충전 속도이고, n이 클수록 vn의 값이 크다.)

제17항에서,상기 다공성 구조체는 제1항 내지 제12항의 다공성 구조체를 포함하는,리튬 금속 전극

양극;,음극; 및상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 전해질;을 포함하고,상기 음극은 제17 내지 제19항의 리튬 금속 전극을 포함하는,리튬 이차전지.