케나프를 탄화시켜 제조되고, 표면 영역에 플루오린(F)이 도핑된 하드 카본을 포함하는, 소듐 이온 전지용 음극활물질.

제1항에 있어서,상기 플루오린은 0.5 내지 5 wt%로 도핑된, 소듐 이온 전지용 음극활물질.

제1항에 있어서,상기 하드 카본의 평균 크기는 10 내지 200 ㎛인, 소듐 이온 전지용 음극활물질.

케나프(kenaf)를 사용하여 하드 카본을 제조하는 단계;용매에 상기 하드 카본 및 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF)를 용해시켜 혼합 용액을 제조하는 단계;상기 혼합 용액에 비용매를 첨가하여 상기 하드 카본 표면에 폴리비닐리덴 플루오라이드를 침전시키는 단계; 및상기 폴리비닐리덴 플루오라이드가 표면에 침전된 하드 카본을 열처리하여 음극활물질을 제조하는 단계를 포함하는, 소듐 이온 전지용 음극활물질의 제조방법.

제4항에 있어서,상기 하드 카본을 제조하는 단계는,케나프를 산처리하는 단계; 및상기 산처리된 케나프를 열처리하는 단계를 포함하는, 소듐 이온 전지용 음극활물질의 제조방법.

제5항에 있어서,상기 산처리된 케나프를 열처리하는 단계는,150 내지 350 ℃에 1차 열처리하는 단계; 및 상기 1차 열처리 후 1200 내지 1600 ℃의 불활성 분위기에서 2차 열처리하는 단계를 포함하는, 소듐 이온 전지용 음극활물질의 제조방법.

제4항에 있어서,상기 혼합 용액을 제조하는 단계에서,상기 하드카본 및 상기 PVDF의 질량비는 1:0.5 내지 2인, 소듐 이온 전지용 음극활물질의 제조방법.

제4항에 있어서,상기 비용매는 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올 및 n-부탄올로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 소듐 이온 전지용 음극활물질의 제조방법.

제4항에 있어서,상기 음극활물질을 제조하는 단계에서,상기 열처리는 500 내지 900 ℃에서 수행하는, 소듐 이온 전지용 음극활물질의 제조방법.

집전체; 및상기 집전체 일면에 배치된 활물질층을 포함하고,상기 활물질층은 제1항에 따른 음극활물질과 도전재 그리고 상기 음극활물질과 도전재를 상기 집전체에 결착시키는 바인더를 포함하는, 소듐 이온 전지용 음극.

제10항에 따른 음극;상기 음극과 이격되게 배치된 양극;상기 음극 및 양극 사이에 배치된 분리막; 및상기 음극, 양극 및 분리막을 침지하는 전해질을 포함하는, 소듐 이온 전지.