제6항에 있어서,상기 아지로다이트 분말, 및 유기 단분자의 혼합물을 준비하는 단계;에서,상기 유기 단분자의 함유량은, 혼합물 전체 100중량%에 대해서 1 내지 15중량%인, 고체 전해질의 제조 방법.

제6항에 있어서,상기 혼합물을 고온 가압하여 고체 전해질을 제조하는 단계;에서, 고온 가압에 의하여 유기 고분자가 형성되고, 상기 혼합물 및 상기 고체 전해질은 하기 수학식 1을 만족하는 것인, 고체 전해질의 제조 방법.[수학식 1]1 ≤ Mpo /Mmo ≤ 10(상기 Mpo는 하기 수학식 2이고, 상기 Mmo는 하기 수학식 3으로 표시되고,수학식 2에서 Ppo-Sxpo, LSPCLpo는 고온 가압 이후 상기 고체 전해질에서의 인-황 결합기 및 아지로다이트 구조 결합기의 양이며,수학식 3에서 Pmo-Sxmo, LSPCLmo는 고운 가압 이전 상기 혼합물에서의 인-황 결합기 및 아지로다이트 구조 결합기의 양이다.)[수학식 2][수학식 3]

하기 화학식 1을 포함하는 유기 고분자를 포함하는, 고체 전해질:[화학식 1](상기 화학식 1에서,X1 및 X2는 O, S, S-S, 치환 또는 비치환된 에스터, 티오에스터, 다이티오에스터이며, X1 및 X2는 둘 중 어느 하나 이상 존재하며,R1은 수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기, 아실기, 알콕시기, 에스터기, 케톤기, 알데하이드기, 카복실기, 티오에스터기, 다이티오에스터기이며,L1은 직접 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기 또는 그 이성질체, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이며,n은 1 내지 50000 중 어느 하나의 정수이다.)

제1항에 있어서,상기 유기 고분자의 말단은 하기 화학식 2 및 화학식 3 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 고체 전해질 [화학식 2][화학식 3] (상기 화학식 2 및 상기 화학식 3에서,X1 및 X2는 O, S, S-S, 치환 또는 비치환된 에스터, 티오에스터, 다이티오에스터이며, X1 및 X2는 둘 중 어느 하나 이상 존재하며,R1은 수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기, 아실기, 알콕시기, 에스터기, 케톤기, 알데하이드기, 카복실기, 티오에스터기, 다이티오에스터기이며,R2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 그 이성질체, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 아실기, 알콕실기, 에스터기, 케톤기, 알데하이드기, 카복실기이며,L1은 직접 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기 또는 그 이성질체, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이며,n은 1 내지 50000 중 어느 하나의 정수이다.)

제1항에 있어서,상기 유기 고분자는 고체 전해질 내에서 복수 개로 뭉쳐져 유기 고분자 플레이크를 형성하는, 고체 전해질.

제3항에 있어서,상기 유기 고분자 플레이크는 고체 전해질 내에 분산되어 있으며, 판형 구조를 형성하는, 고체 전해질.

제1항에 있어서,상기 유기 고분자는 13C NMR 상에서 20 내지 50 ppm 범위에서 제1 피크, 50 내지 70 ppm 범위에서 제2 피크 및, 150 내지 210 ppm 범위에서 제3 피크를 가지는, 고체 전해질.

아지로다이트 분말, 및 유기 단분자의 혼합물을 준비하는 단계; 및상기 혼합물을 고온 가압하여 고체 전해질을 제조하는 단계;를 포함하고,상기 유기 단분자는 하기 화학식 4를 만족하는, 고체 전해질의 제조 방법. [화학식 4](상기 화학식 4에서,X3은 O, S, S-S, 치환 또는 비치환된 에스터, 티오에스터, 다이티오에스터이며, 작용기 A는 1개 이상의 X3 등이 포함된 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 탄소 고리이며,R1은 수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기, 아실기, 알콕시기, 에스터기, 케톤기, 알데하이드기, 카복실기, 티오에스터기, 다이티오에스터이며기,L2는 직접 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기 또는 그 이성질체, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이며,n은 1 내지 50000 중 어느 하나의 정수이다.)

제6항에 있어서,상기 혼합물을 고온 가압하여 고체 전해질을 제조하는 단계;에서, 유기 고분자가 형성되고, 상기 혼합물 및 상기 고체 전해질은 하기 수학식 4를 만족하는 것인, 고체 전해질의 제조 방법.[수학식 4]1 ≤ Npo /Nmo ≤ 10(상기 Npo는 하기 수학식 5이고, 상기 Nmo는 하기 수학식 6으로 표시되고,수학식 5에서 -Sxpo-, LSPCLpo는 고온 가압 이후 상기 고체 전해질에서의 황 결합기 및 상기 아지로다이트 구조 결합기의 양이며,수학식 6에서 -Sxmo-, LSPCLmo는 고온 가압 이전 상기 혼합물에서의 황 결합기 및 상기 아지로다이트 구조 결합기의 양이다.)[수학식 5][수학식 6]

제6항에 있어서,상기 혼합물을 고온 가압하여 고체 전해질을 제조하는 단계;에서, 고온 가압에 의하여 유기 고분자가 형성되고, 상기 유기 고분자는 고체 전해질 내에서 복수 개로 뭉쳐져 유기 고분자 플레이크를 형성하며,상기 유기 고분자 플레이크는 고체 전해질 내에 분산되어 있으며 판형 구조를 형성하는, 고체 전해질의 제조 방법.

양극;음극;상기 양극 및 상기 음극 사이에 위치하는 고체 전해질; 및상기 음극과 접하는 다공성 집전체를 포함하고,상기 고체 전해질은 청구항 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 고체 전해질인, 무가압 이차 전지.

제11항에 있어서,상기 양극은 집전체 및 상기 집전체 상에 위치하는 양극 활물질층을 포함하고,상기 양극 활물질층은 단입자 형태의 양극 활물질을 포함하는, 무가압 이차 전지

제12항에 있어서,상기 양극 활물질층은 청구항 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 고체 전해질을 포함하는, 무가압 이차 전지.

제12항에 있어서,상기 양극 활물질층은 아지로다이트 분말을 포함하는, 무가압 이차 전지.

제11항에 있어서,상기 음극은 리튬 금속 또는 리튬 합금 중 어느 하나이며,상기 리튬 합금은 전체 100중량%에 대해서 0.1 내지 30중량%의 Mg, Al, Sn, Sb, Ag, Hf, Ta, Pt, Au, Ti, La 등을 포함하는, 무가압 이차 전지.

제11항에 있어서,상기 음극의 두께는 20 내지 110 μm인, 무가압 이차 전지.

제11항에 있어서,상기 음극의 두께는 35 내지 45 μm인, 무가압 이차 전지.