| 번호 | 청구항 |
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| 4 | 제1항에 있어서,상기 전기화학적 탈합금 공정의 일정 범위의 전압은 0.05〜1.20 VRHE 인, 고분자 전해질막 수전해 산소 발생 반응용 촉매 전극 제조방법. |
| 1 | 귀금속 전구체 및 비귀금속 전구체를 혼합 및 건조하여 합금 물질을 준비하는 공정;상기 준비된 물질을 음이온 제거 가스로 포화시킨 후 열처리하여 박막형 촉매를 생성하는 공정;상기 박막형 촉매를 전해질 용액 내의 작업전극으로 사용하여 일정 범위의 전압을 순환전류전압법으로 인가하는 전기화학적 탈합금 공정;상기 전기화학적 탈합금 공정 후 상기 박막형 촉매에 치유 전압을 인가하는 전기화학적 치유 공정; 및 상기 전기화학적 치유 공정 이후에 상기 박막형 촉매에 산화막을 형성하는 전기화학적 산화 공정을 포함하는,고분자 전해질막 수전해 산소 반응용 촉매 전극 제조 방법. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 치유 전압은 1.23 VRHE 이상인, 고분자 전해질막 수전해 산소 발생 반응용 촉매 전극 제조방법. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 귀금속은 이리듐을 포함하고, 상기 비귀금속은 철, 니켈, 코발트 중 어느 하나를 포함하는, 고분자 전해질막 수전해 산소 반응용 촉매 전극 제조방법. |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 전기화학적 탈합금 공정 후에 상기 합금 물질의 표면에는 나노 다공성 구조를 형성하는, 고분자 전해질막 수전해 산소 발생 반응용 촉매 전극 제조방법. |
| 6 | 제5항에 있어서,상기 나노 다공성 구조는 취약부를 가지는 돌기부를 포함하며, 상기 전기화학적 치유 공정은 상기 취약부 상에 상기 귀금속이 재증착되어 상기 취약부의 비귀금속이 용해되는 것을 방지하는, 고분자 전해질막 수전해 산소 반응용 촉매 전극 제조방법. |
| 7 | 제6항에 있어서,상기 전기화학적 산화 공정은 상기 돌기부 및 재증착된 귀금속 상에 산화막을 생성시키는, 고분자 전해질막 수전해 산소 반응용 촉매 전극 제조방법. |
| 8 | 제1항에 있어서,상기 음이온 제거 가스는 3〜5% 수소-아르곤 가스를 포함하는, 고분자 전해질막 수전해 산소 반응용 촉매 전극 제조방법. |
| 9 | 제1항에 있어서,상기 귀금속은 이리듐을 포함하고 상기 비귀금속은 철을 포함하며,상기 전기화학적 치유 공정에서, 상기 철은 산화되고, 상기 이리듐은 환원되는, 고분자 전해질막 수전해 산소 반응용 촉매 전극 제조방법. |
| 10 | 제1항에 있어서,상기 전기화학적 탈합금 공정 및 상기 전기화학적 치유 공정은 교차하여 복수 회 진행되는, 고분자 전해질막 수전해 산소 반응용 촉매 전극 제조방법. |
| 11 | 제1항에 있어서,상기 귀금속은 이리듐을 포함하고, 상기 전기화학적 산화 공정은 0.05〜1.50 VRHE에서 순환전류전압법에 의해 수행되는, 고분자 전해질막 수전해 산소 반응용 촉매 전극 제조방법. |
| 12 | 돌기부를 포함하는 나노 다공성 구조를 가지며 귀금속 및 비귀금속을 포함하는 합금;상기 돌기부의 표면의 적어도 일부에 상기 귀금속이 재증착되는 귀금속층; 및상기 재증착된 귀금속층과 상기 합금의 표면을 덮는 산화막을 포함하는, 고분자 전해질막 수전해 산소 반응용 촉매 전극. |
| 13 | 제 12 항에 있어서,상기 돌기부는 300nm 이하의 두께를 가지며 상기 돌기부는 취약부를 가지며, 상기 취약부는 상기 돌기부의 최대두께 대비 두께가 적고 상기 합금 내부의 비귀금속이 용해되어 생성되며,상기 재증착되는 귀금속층은 상기 취약부가 상기 합금으로부터 떨어져나가는 것을 방지하는, 고분자 전해질막 수전해 산소 반응용 촉매 전극. |
| 14 | 제12항에 있어서,상기 귀금속은 이리듐을 포함하고, 상기 비귀금속은 철, 니켈, 코발트 중 어느 하나를 포함하는, 고분자 전해질막 수전해 산소 반응용 촉매 전극. |
| 15 | 제 12 항에 있어서,상기 합금의 상기 귀금속과 비귀금속은 1:1〜7:1의 몰비를 가지는, 고분자 전해질막 수전해 산소 반응용 촉매 전극. |
| 16 | 제 12 항에 있어서,상기 산화막은 3nm 이하로 생성되는, 고분자 전해질막 수전해 산소 반응용 촉매 전극. |