제8항에 있어서,상기 용매는 무극성 용매인 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제8항에 있어서, 상기 용액에 금속 이중층 수산화물을 첨가하는 단계는 교반하면서 수행되는 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제8항에 있어서,상기 금속 이중층 수산화물이 첨가된 결과물에 촉매를 첨가하는 단계의 촉매는 0.04 내지 0.05M의 암모니아 용액인 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제8항에 있어서, 상기 촉매가 첨가된 결과물에 실리카 축합 반응을 수행 단계는, 테트라에틸 오쏘실리케이트 (tetraethyl orthosilicate; TEOS) 및 N-[3-(트리메톡시실릴)-프로필] 에틸렌디아민(N-[3-(trimethoxysilyl)propyl]ethylene diamine), TMSD)의 혼합물을 사용하여 수행되는 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

이중층 구조의 실리카 템플릿;상기 이중층 구조의 실리카 템플릿의 내부 표면에 형성되는 아민기;상기 아민기가 형성된 이중층 구조의 실리카 템플릿 내부에 형성되는 금속 시드; 및상기 이중층 사이의 간극(102)에 형성된 2차원 금속층(20);을 포함하고,상기 2차원 금속층(20)의 두께가 1nm 내지 2nm 범위인 것인,2차원 금속 촉매.

제1항에 있어서, 상기 이중층 구조의 실리카 템플릿의 넓은 면의 장축(101) 길이가 260nm 내지 280nm 범위인 것인,2차원 금속 촉매.

제1항에 있어서,상기 이중층 구조의 실리카 템플릿의 상단 실리카층과 하단 실리카층 사이의 간극(102)은 1nm 내지 2nm 범위인 것인,2차원 금속 촉매.

제1항에 있어서, 상기 이중층 구조의 실리카 템플릿의 두께(100)는 8nm 내지 15nm 범위인 것인,2차원 금속 촉매.

제1항에 있어서,상기 아민기가 형성된 이중층 구조의 실리카 템플릿에 결합되는 금속 시드는, 금(Au)인 것인,2차원 금속 촉매.

제1항에 있어서,상기 2차원 금속층(20)은 구리(Cu)인 것인,2차원 금속 촉매.

이중층 구조의 실리카 템플릿을 준비하는 단계;상기 이중층 구조의 실리카 템플릿 사이 내부 표면에 아민기를 형성하는 단계;상기 아민기가 형성된 이중층 구조의 실리카 템플릿 내부 표면에 금속 시드를 형성하는 단계; 및상기 금속 시드와 아민기가 형성된 실리카 템플릿 사이 간극(102)에 2차원 금속층(102)을 형성하는 단계;를 포함하는 것인,2차원 금속 촉매의 제조방법.

제7항에 있어서,상기 이중층 구조의 실리카 템플릿 사이 내부 표면에 아민기를 형성하는 단계는,계면활성제와 용매를 혼합하여 용액을 제조하는 단계;상기 제조된 용액에 금속 이중층 수산화물을 첨가하는 단계;상기 금속 이중층 수산화물이 첨가된 결과물에 촉매를 첨가하는 단계;상기 촉매가 첨가된 결과물에 실리카 축합 반응을 수행하여, 내부 표면에 아민기를 포함하는 이중층 구조의 실리카 템플릿을 수득하는 단계; 및 상기 이중층 구조의 실리카 템플릿을 침전하고 세척하는 단계;를 포함하는,2차원 금속 촉매의 제조방법.

제8항에 있어서,상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제인 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제13항에 있어서,상기 촉매가 첨가된 결과물에 실리카 축합 반응을 수행하는 단계는,0.017 내지 0.019M의 TEOS를 투입하여 이중층 구조의 실리카 템플릿을 제조하는 단계; 및0.0003 내지 0.0005M의 TMSD를 투입하여 이중층 구조의 실리카 템플릿 내부 표면에 아민이 풍부하게 제조하는 단계를 포함하는 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제8항에 있어서,상기 실리카 축합 반응의 온도는 25 내지 30℃이며, 반응 시간은 12 내지 24시간 인 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제15항에 있어서, 상기 촉매가 첨가된 결과물에 실리카 축합 반응을 수행하는 단계는 안정화 단계를 추가로 포함하는 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제16항에 있어서, 상기 안정화 단계의 온도는 25 내지 30℃이며, 안정화 시간은 20 내지 24시간 인 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제7항에 있어서, 상기 아민기가 형성된 이중층 구조의 실리카 템플릿 내부에 금속 시드를 형성하는 단계는, 상기 아민기가 형성된 이중층 구조의 실리카 템플릿과 금속 전구체 수화물을 혼합하는 단계;상기 금속 전구체 수화물이 혼합된 결과물을 세척 및 침전하여, 금속 시드가 형성된 이중층 구조의 실리카 템플릿을 수득하는 단계를 포함하는 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제18항에 있어서, 상기 금속 전구체 수화물을 혼합하는 단계에서 금속 전구체 수화물은 HAuCl4ㆍH2O 인 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제19항에 있어서, 상기 금속 전구체 수화물의 농도는 5 내지 6mg/ml 인 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제18항에 있어서, 상기 아민기가 형성된 이중층 구조의 실리카 템플릿 내부에 금속 시드를 형성하는 단계는 교반하면서 수행되는 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제18항에 있어서, 상기 아민기가 형성된 이중층 구조의 실리카 템플릿과 금속 전구체 수화물을 혼합하는 단계의 반응 온도는 20 내지 30℃이고, 반응 시간은 80 내지 100분인 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제18항에 있어서,상기 금속 전구체 수화물이 혼합된 결과물을 세척 및 침전하는 단계는,증류수로 세척하는 단계;NaBH4수용액으로 침전하는 단계; 및상기 침전 단계 후 원심분리하여 증류수로 추가 세척하는 단계;를 포함하는 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제7항에 있어서,상기 금속 시드와 아민기가 형성된 실리카 템플릿 사이 간극(102)에 2차원 금속층(20)을 형성하는 단계는,전해질 잉크에 상기 금속 시드와 아민기가 형성된 실리카 템플릿 물질을 분산시켜 혼합용액을 제조하는 단계;상기 제조된 혼합용액을 전극 표면에 드롭 캐스팅한 후 건조하는 단계;상기 건조된 전극을 회전 디스크의 한 면에 고정하여 회전시키는 단계;상기 회전 디스크에 전위를 가하는 단계;상기 전위가 가해진 회전 디스크에 전극을 분리하는 단계;상기 분리된 전극을 용액에 담궈 세척 후 원심분리하는 단계;를 포함하는 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제24항에 있어서,상기 전해질 잉크는 폴리비닐피롤리돈 용액, 에탄올, 설포네이트 테트라플루오로에틸렌 기반 플루오로폴리머 공중합체의 혼합물인 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제24항에 있어서,상기 제조된 혼합용액을 전극 표면에 드롭 캐스팅한 후 건조하는 단계는 20 내지 30℃ 온도에서 6 내지 12시간 건조하는 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제24항에 있어서,상기 건조된 전극을 회전 디스크의 한 면에 고정하여 회전시키는 단계의 회전속도는 300 및 400rpm 인 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제24항에 있어서,상기 회전 디스크에 전위를 가하는 단계 는 -0.3 V의 전위를 180 내지 230초간 가하는 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제24항에 있어서,상기 전극은 작동전극으로 유리탄소전극(glassy carbon electrode,GCE), 상대전극으로 백금(Pt) 와이어 및 기준전극으로 Ag/AgCl을 포함하는 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제24항에 있어서,상기 건조된 전극을 회전 디스크의 한 면에 고정하여 회전시키는 단계는 전해질 용액을 포함하는 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제30항에 있어서,상기 전해질 용액은 무수 염화구리(CuCl2) 및 염화칼륨(KCl) 수용액의 혼합용액인 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제31항에 있어서,상기 무수 염화구리(CuCl2)의 농도는 1 내지 2mM 인 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.

제24항에 있어서,상기 분리된 전극을 용액에 담궈 세척 후 원심분리하는 단계는 에탄올 용액에 담그고 초음파 처리하여 세척하는 단계; 및11,000 내지 17,000rpm 회전속도로 원심분리하는 단계;를 포함하는 것인, 2차원 금속 촉매의 제조방법.