| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 반도체 물질로 이루어지는 지지체층과 지지체의 표면에 형성되는 금속으로 이루어진 촉매층으로 조성되어 지지체층과 촉매층이 쇼트키 접합 상태가 되도록 형성되되,상기 지지체층을 이루는 반도체 물질이 p형인 경우 상기 촉매층을 이루는 금속의 일함수값보다 더 큰 일함수값을 가지고,상기 지지체층을 이루는 반도체 물질이 n형인 경우 상기 촉매층을 이루는 금속의 일함수값보다 더 작은 일함수값을 가지며,상기 반도체 물질이 n형인 경우에는 환원반응촉매로만 기능하고, 상기 반도체 물질이 p형인 경우에는 산화반응촉매로만 기능하는 것을 특징으로 하는, 쇼트키 접합 형태의 선택적 산화환원반응용 전기화학촉매. |
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| 3 | 청구항 1에 있어서,상기 촉매층을 형성하는 물질은 백금인 것을 특징으로 하는 쇼트키 접합 형태의 선택적 산화환원반응용 전기화학촉매. |
| 4 | 청구항 3에 있어서,상기 촉매층을 형성하는 백금 입자의 크기는 1.2㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 쇼트키 접합 형태의 선택적 산화환원반응용 전기화학촉매. |
| 5 | 청구항 4에 있어서,상기 n형 반도체 물질은 산화주석(SnO2)이며,상기 p형 반도체 물질은 산화코발트(Co3O4)인 것을 특징으로 하는 쇼트키 접합 형태의 선택적 산화환원반응용 전기화학촉매. |
| 6 | 청구항 5에 있어서,상기 백금으로 이루어진 촉매층의 두께는 5㎚이며,상기 지지체층을 형성하는 p형 반도체 물질인 산화코발트의 두께는 15~30㎚ 로서, 선택적 산화반응촉매로서 기능을 하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 접합 형태의 선택적 산화환원반응용 전기화학촉매. |
| 7 | 청구항 5에 있어서,상기 백금으로 이루어진 촉매층의 두께는 7㎚이며,상기 지지체층을 형성하는 n형 반도체 물질인 산화주석의 두께는 50㎚로서,선택적 환원반응촉매로서 기능을 하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 접합 형태의 선택적 산화환원반응용 전기화학촉매. |
