제18 항에 있어서,상기 베이스 기판은 질화 규소(Si3N4), 질화 알루미늄(AIN), 탄화 규소(SiC) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 도너 기판.

제1 베이스 기판 및 상기 제1 베이스 기판 상에 배치된 유기물층을 포함하는 도너 기판을 제공하는 단계;레이저 장치를 이용하여 상기 유기물층을 식각하는 단계;제2 베이스 기판 및 상기 제2 베이스 기판 상에 배치된 복수의 제1 전극들을 포함하는 표시 기판을 제공하는 단계;상기 식각된 유기물층이 상기 복수의 제1 전극들에 마주하도록 상기 도너 기판과 상기 표시 기판을 정렬하는 단계; 및에너지 발생 장치를 이용하여 상기 식각된 유기물층을 상기 표시 기판에 전사하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 유기물층은 정공 제어층, 발광층, 및 전자 제어층 중 적어도 하나 이상을 포함하는 표시 장치 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 제1 베이스 기판은 질화 규소(Si3N4), 질화 알루미늄(AIN), 및 탄화 규소(SiC) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 표시 장치 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 제1 베이스 기판은 광열 변환층을 포함하는 표시 장치 제조 방법.

제4 항에 있어서,상기 레이저 장치는 자외선 영역의 파장을 갖는 광을 조사하고, 상기 제1 베이스 기판은 인듐 주석 산화물(ITO), 아연 주석 산화물(ZTO), 불소 첨가 주석 산화물(FTO) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 표시 장치 제조 방법.

제4 항에 있어서,상기 레이저 장치는 가시광선 영역의 파장을 갖는 광을 조사하고, 상기 제1 베이스 기판은 흑연(Carbon), 실리콘(Silicon), 저마늄(Germanium) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 표시 장치 제조 방법.

제4 항에 있어서,상기 레이저 장치는 적외선 영역의 파장을 갖는 광을 조사하고, 상기 제1 베이스 기판은 유리(Glass), 산화 알루미늄(Al2O3), 및 산질화 알루미늄 중 적어도 하나 이상을 포함하는 표시 장치 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 레이저 장치는 수직 공동 표면 발광 레이저인 표시 장치 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 식각된 유기물층을 상기 표시 기판에 전사하는 단계는,상기 도너 기판을 상기 표시 기판에 접촉하는 단계;상기 도너 기판을 사이에 두고 상기 표시 기판과 대향되게 상기 에너지 발생 장치를 정렬하는 단계; 및상기 에너지 발생 장치가 에너지를 제공하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 에너지 발생 장치는 광을 조사하는 표시 장치 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 에너지 발생 장치는 열원을 제공하는 표시 장치 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 에너지 발생 장치의 면적은 상기 도너 기판의 면적보다 같거나 큰 표시 장치 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 에너지 발생 장치는 상기 도너 기판 상에서 이동하며 상기 제1 베이스 기판을 향해 에너지를 제공하는 표시 장치 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 레이저 장치는 상기 도너 기판 상에서 이동하며 상기 유기물층을 향해 레이저를 조사하는 표시 장치 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 표시 기판은 상기 복수의 제1 전극들 상에 배치되는 정공 제어층을 더 포함하는 표시 장치 제조 방법.

제15 항에 있어서,상기 식각된 유기물층을 상기 표시 기판에 전사하는 단계는,상기 정공 제어층 상에 발광층을 전사하는 단계; 및상기 발광층 상에 전자 제어층을 전사하는 단계를 더 포함하는 표시 장치 제조 방법.

제1 항에 있어서,상기 식각된 유기물층을 상기 표시 기판에 전사하는 단계는,상기 복수의 제1 전극들 각각에 순차적으로 적층된 정공 제어층, 발광층, 및 전자 제어층을 일괄 전사하는 단계를 더 포함하는 표시 장치 제조 방법.

베이스 기판; 및상기 베이스 기판 상에 배치되고, 유기물질을 포함하며 발광소자의 적어도 일부를 구성하는 식각 패턴을 포함하는 도너 기판.

제18 항에 있어서,상기 베이스 기판은 광열 변환층을 포함하고, 상기 베이스 기판은 인듐 주석 산화물(ITO), 아연 주석 산화물(ZTO), 불소 첨가 주석 산화물(FTO) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 도너 기판.

제18 항에 있어서,상기 베이스 기판은 광열 변환층을 포함하고, 상기 베이스 기판은 흑연(Carbon), 실리콘(Silicon), 저마늄(Germanium) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 도너 기판.

제18 항에 있어서,상기 베이스 기판은 광열 변환층을 포함하고, 상기 베이스 기판은 유리(Glass), 산화 알루미늄(Al2O3), 및 산질화 알루미늄 중 적어도 하나 이상을 포함하는 도너 기판.