서로 반대되는 제1면과 제2면을 포함하는 기판;n형 반도체층과 활성층 및 p형 반도체층으로 구성되고, 상기 제1면에서 상기 기판의 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 정렬되며, 상기 기판을 향할수록 폭이 커지는 형상을 가지는 복수의 마이크로 엘이디(LED);상기 복수의 마이크로 엘이디 각각의 경사진 측벽에 위치하며, 상기 활성층에서 방출된 빛을 반사하여 빛의 배향이 기판을 향하도록 하는 반사층; 및상기 제2면에서 상기 복수의 마이크로 엘이디 각각에 대응하여 위치하는 복수의 렌즈를 포함하는 면광원 장치.

제1항에 있어서,상기 복수의 마이크로 엘이디 각각은 꼭지점 부분이 생략된 원뿔의 일부와 꼭지점 부분이 생략된 삼각 이상의 다각뿔의 일부 중 어느 하나의 형상으로 이루어지는 면광원 장치.

제1항에 있어서,상기 복수의 마이크로 엘이디 각각의 크기는 30㎛ 이하이고, 상기 복수의 마이크로 엘이디의 평균 피치는 20㎛ 이하인 면광원 장치.

제1항에 있어서,상기 복수의 마이크로 엘이디 각각은 200nm 내지 800nm의 범위에 속하는 발광 파장을 가지는 면광원 장치.

제1항에 있어서,상기 복수의 마이크로 엘이디 각각의 경사진 측벽과 상기 반사층 사이에 절연층이 위치하는 면광원 장치.

제1항에 있어서,상기 반사층은 Al, Au, Ag, Ni, Cu, Rh, Pd, Zn, Ru, La, Ti, 및 Pt로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 면광원 장치.

제1항에 있어서,상기 복수의 렌즈는 상기 마이크로 엘이디에서 방출되는 빛을 평행광으로 변환시키는 볼록 렌즈 또는 렌즈의 조합으로 이루어지며, 유리, 산화물, 질화물, 및 사파이어 중 어느 하나를 포함하는 면광원 장치.

제1항에 있어서,상기 복수의 마이크로 엘이디 각각은, 상기 p형 반도체층과 접촉하는 p형 전극과, 상기 n형 반도체층과 접촉하는 n형 전극을 포함하며,복수의 p형 전극은 제1 회로배선에 연결되고, 복수의 n형 전극은 제2 회로배선에 연결되는 면광원 장치.

제1항에 있어서,상기 복수의 마이크로 엘이디 각각에 대응하는 구동 회로와 회로 전극을 가진 반도체 구동장치를 포함하며,상기 복수의 마이크로 엘이디 각각은, 상기 p형 반도체층과 접촉하는 p형 전극과, 상기 n형 반도체층과 접촉하는 n형 전극을 포함하고,상기 p형 전극과 상기 n형 전극은 각각의 도전 범프를 통해 상기 회로 전극에 연결되는 면광원 장치.

제1항에 있어서,상기 제2면에서 상기 복수의 렌즈 사이에 위치하는 블랙 매트릭스를 포함하는 면광원 장치.

액상을 수지를 담는 수지 케이스;상기 수지 케이스에 수용 가능한 크기로 제작되며, 이송부에 의해 높이가 조절되는 조형 스테이지;상기 수지 케이스의 아래에 위치하고, 상기 수지 케이스를 향해 빛을 방출하는 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 면광원 장치; 및상기 이송부 및 상기 면광원 장치와 전기적으로 연결되어 상기 이송부와 상기 면광원 장치의 작동을 제어하는 제어부를 포함하는 3차원 프린터.

제11항에 있어서,상기 제어부는 만들고자 하는 3차원 조형물을 복수의 층으로 구분하고, 각 층별 모양에 따라 복수의 마이크로 엘이디의 온/오프를 제어하여 상기 면광원 장치가 각 층별 모양에 대응하는 발광 패턴을 구현하도록 하는 3차원 프린터.

제11항에 있어서,상기 제어부는, 상기 면광원 장치가 상기 액상 수지를 경화하는 동안 상기 조형 스테이지를 정지시키고, 수지의 경화가 완료되어 한 개의 경화층이 완성되면 상기 이송부를 작동시켜 상기 조형 스테이지를 한 개 경화층의 두께만큼 상승 이동시키는 3차원 프린터.