| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 20 wt% 내지 99 wt%의 황을 포함하는 황 함유 고분자를 준비하는 단계;보강재를 포함하는 분산용액 중에 상기 황 함유 고분자를 혼합하고, 건조시켜 혼합물을 제조하는 단계; 및상기 혼합물을 가열 및 가압 처리에 의하여 필름형태를 제조하는 단계:를 포함하는 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 황 함유 고분자를 준비하는 단계에서,상기 황 함유 고분자는,20 wt% 내지 99 wt%의 원소 황 (S8, elemental sulfur)과 1 wt% 내지 80 wt%의 유기 공단량체 (organic comonomer)의 역가황 (inverse vulcanization) 반응으로 제조되는 것인 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 3 | 제2항에 있어서,상기 황 함유 고분자는,상기 원소 황을 140 ℃ 내지 200 ℃에서 가열하여 개환 (ring-opening) 반응에 의하여 양단에 라디칼이 형성된 선형 황 분자 사슬로 제조하고, 상기 선형 황 분자 사슬에 상기 유기 공단량체를 첨가한 후 교반하여 상기 역가황 반응에 의하여 황 함유 고분자 고체 덩어리 (chunk)로 제조되고, 상기 황 함유 고분자 고체 덩어리를 100 ℃ 내지 200 ℃에서, 5 분 내지 48 시간 동안 열처리하고,열처리가 완료된 황 함유 고분자 고체 덩어리를 상기 황 함유 고분자 고체 덩어리를 분쇄하여 파우더 형태로 제조하는 것을 포함하는 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 4 | 제2항에 있어서,상기 유기 공단량체는 1,3-다이이소프로페닐벤젠 (DIB, 1,3-diisopropenylbenzene), 다이비닐벤젠 (divinylbenzene, DVB), 트라이바이닐벤젠 (trivinylbenzene), 다이시클로펜타디엔 (dicyclopentadiene, DCPD), 트라이시클로펜타디엔 (tricyclopentadiene, TCPD), 벤젠다이싸이올 (benzenedithiol, BDT), 벤젠트라이싸이올 (benzenetrithiol, BTT), 리모넨 (limonene), 에텔렌 글리콜 다이메틸아크릴레이트 (ethylene glycol dimethylacrylate, EGDMA), 글리옥살-비스-다이알릴아세테이드 (glyoxal-bis-diallylacetate, GBDA), 1,3,5,7-테트라비닐 테트라메틸 사이클로테라 실록산 (1,3,5,7-tetravinyl tetramethyl cyclotetra siloxane, TVTCSi), 1,4-다이페닐 부타디엔 (1,4-diphenyl butadiene, DiPhDY), 비스말레이미드 (bismaleimide), 에틸리덴 노르보르넨 (ethylidene norbornene, ENB), 아줄렌 (azulene), 테르펜 (terpenes), 바닐린 (vanillin), 벤조사진 (benzoxazine), 메타크릴산메틸 (methyl methacrylate, MMA), 1,3,5-트리이소포르페닐벤젠 (1,3,5-triisopropenylbenzene), 스티렌 (styrene), 비닐 아닐린 (vinyl aniline), 비닐벤젠 클로라이드 (vinylbenzene chloride), 사이클로알켄 (cycloalkenes), 식물성 오일 (vegetable oils), 1,3-디에티닐벤젠 (1,3-diethynylbenzene, DEB), 디알릴아민 (diallylamine, DAA), 2,3-디메틸부타-1,3-다이엔 (2,3-dimethylbuta-1,3-diene, DMBD), 아이소프렌 (isoprene, IP), 메틸부테나이엔 (2-methylbut-1-en-3-yne, MBEY), 에틸렌 (ethylene ,EE), 프로펜 (propene, PE), 염화비닐 (vinyl chloride) 및 프로핀 (propyne, PYE) 중 어느 하나 이상인 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 황 함유 고분자는 평균입경이 1 ㎛ 내지 100 ㎛인 입자형태로 구비되고,상기 보강재는 평균길이가 0.1 ㎛ 내지 100 ㎛인이고, 평균두께가 5 nm 미만인 시트형태로 구비되는 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 6 | 제1항에 있어서,상기 보강재는 맥신, 카본 블랙, 그래핀, 탄소나노튜브, 흑린 (Black phosphorus), 육각형 질화불소 (Hexagonal-Boron Nitride) 전이금속 디칼코게나이드 (Transition metal dichalcogenides), 은 나노 와이어 및 고유전율 물질 (High k-materials)인 메탈 산화물 (Metal oxide) 종류인 SiO2, Al2O3, MgO, CaO, ZrSiO4, HfSiO4, Y2O3, ZrO2, Si3N4, SrO, HfO2, La2O3, Ta2O5, BaO, 및 TiO2 중 어느 하나 이상인 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 7 | 제6항에 있어서,상기 맥신은 표면에 -O, -OH, 및 -F 중 어느 하나 이상의 작용기를 포함하고,상기 맥신은 Ti2N, Mo2N, Ti2C, Mo2C, V2C, Nb2C, (Ti3V)2C, (Ti3Nb)2C, N1.3C, Mo1.3Y0.6C,Ti3(C,N)2, Hf3C2, Zr3C2, (Cr2Ti)C2, (Cr2V)C2, (Mo2Sc)C2, (Mo2Ti)C2, (Ti3V)3C2, Ti4N3, V4C3, Nb4C3, Ta4C3, (Nb,V)4C3, (Ti,Nb)4C3, (Mo2Ti2)C3, (Nb,Zr)4C3 및 Ti3C2Tx 중 어느 하나 이상인 것인 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 8 | 제1항에 있어서,상기 혼합물을 제조하는 단계에서,상기 보강재는 0.001 wt% 내지 99 wt%인 것인 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 9 | 제1항에 있어서,상기 혼합물을 제조하는 단계에서,용매 중에 상기 보강재를 첨가하여 상기 분산용액으로 제조하고,상기 분산용액 중에 상기 황 함유 고분자를 첨가하여 교반하는 것을 포함하고,상기 분산용액 중 상기 보강재의 농도는 0.001 mg mL-1 내지 2 g mL-1 인 것인 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 10 | 제9항에 있어서,상기 혼합물을 제조하는 단계에서,상기 용매는 물, 헥세인 (hexane), 톨루엔 (toluene), 파라자일렌 (p-xylene), o-다이클로로벤젠 (o-dichlorobenzene), 다이클로로메테인 (dichloromethane), 에탄올 (ethanol), 이소프로필 알코올 (isopropanol), 아세톤 (acetone), 아세토니트릴 (acetonitrile), 메탄올 (methanol), 다이메틸 설폭사이드 (dimethyul sulfoxide, DMSO), N-메틸-2-피롤리돈 (N-methyl 1-2-pyrrolidone, NMP), 프로필렌카보네이트 (propylene carbonate, PC), 디메틸아세트아미드 (dimethylacetamide, DMAc), 다이메틸폼아마이드 (N,N-dimethylformamide, DMF), 테트라하이드로퓨란 (Tetrahydrofuran, THF), 및 클로로벤젠 (Chlorobenzene) 중 어느 하나 이상을 포함하는 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 11 | 제1항에 있어서,상기 혼합물은 상기 황 함유 고분자와, 상기 황 함유 고분자의 표면에 상기 보강재가 코팅된 형태로 구비되고,상기 보강재는 상기 황 함유 고분자의 표면의 적어도 일부를 노출시키도록 분리구조 (segregated structure)의 형태로 코팅되는 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 12 | 제1항에 있어서,상기 가열 및 가압 처리는 핫프레싱 (hot-pressing)을 포함하고,상기 핫프레싱은 80 ℃ 내지 200 ℃의 온도범위에서 10 MPa 내지 500 Mpa의 압력범위로 수행되는 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 13 | 제1항에 있어서,상기 필름형태로 제조하는 단계에서,금속시트에 상기 혼합물을 구비시킨 후 상기 상기 가열 및 가압 처리를 수행하는 것을 포함하는 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 14 | 제1항에 있어서,상기 필름형태로 제조하는 단계에서,상기 필름형태의 두께는 0.10 ㎛ 내지 3 mm이고,상기 황 함유 고분자는 가교된 형태로 구비되고,상기 황 함유 고분자와 상기 보강재의 계면에서 상기 황 함유 고분자가 무정형 (amorphous)의 형태로 구비되는 황 함유 고분자 복합체의 제조방법. |
| 15 | 20 wt% 내지 99 wt%의 황을 포함하고, 가교된 황 함유 고분자로 이루어진 매트릭스; 및상기 황 함유 고분자의 외면에 코팅되어 구비되는 보강재;를 포함하고,상기 황 함유 고분자와 상기 보강재의 계면에서 상기 황 함유 고분자가 무정형 (amorphous)의 형태로 구비되는 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따라 제조된 필름형태의 황 함유 고분자 복합체. |
| 16 | 제15항에 있어서,상기 보강재가 분산된 용액에 상기 황 함유 고분자를 함침시키고, 용매를 건조시킨 후 상기 가열 및 가압 처리에 의하여 필름형태로 제조하고,상기 보강재는 나노시트 형태의 맥신을 포함하고,상기 용매를 건조시키는 과정에서 나노시트의 형태로 구비된 맥신은 자가조립되고, 자가조립된 맥신은 맥신 조립체로 형성되어 상기 황 함유 고분자 표면에 구비되는 황 함유 고분자 복합체. |
| 17 | 제16항에 있어서,상기 맥신의 함량이 높은 경우 상기 맥신 조립체 사이가 접촉하여 전도성 경로를 형성하여 상기 황 고분자 복합체가 전기전도성을 구비하는 황 함유 고분자 복합체. |
| 18 | 제15항에 따라 제조된 황 함유 고분자 복합체를 포함하는 마찰대전 발전소자. |
| 19 | 제18항에 있어서,상기 황 함유 고분자 복합체는 재사용이 가능한 것인 마찰대전 발전소자. |