제10항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 금속-포르피린 리셉터는 상기 고분자-탄소나노튜브 분산용액의 고분자의 무게 대비 0.01 내지 500의 범위에 포함되는 무게로 상기 고분자-탄소나노튜브 분산용액에 포함되어 상기 고분자-탄소나노튜브에 기능화되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제작 방법.

금속-포르피린 리셉터가 기능화된 고분자 및 전도성 탄소나노튜브가 복합화된 고분자-탄소나노튜브 복합소재를 포함하고,상기 금속-포르피린 리셉터는 상기 고분자에 화학적으로 기능화되고,상기 금속-포르피린 리셉터는 거대 고리 구조를 갖는 포르피린 기반의 유기분자에 금속이온이 킬레이트화되어 형성된 것을 특징으로 하는 가스센서 감지소재.

제1항에 있어서,상기 거대 고리 구조를 갖는 포르피린 기반의 유기분자는 네 개의 피롤 그룹과 유기 리간드를 포함하며, 분자량(Mw)은 500 내지 5000 g/mol의 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 가스센서 감지소재.

제1항에 있어서, 상기 금속이온의 금속 성분은 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra, Fe, Cd, Cr, Co, Cu, Pb, Mn, Hg, Ni, Pt, Sn, 및 Zn 중 적어도 하나를 포함하는 것 을 특징으로 하는 가스센서 감지소재.

제1항에 있어서,상기 고분자는 polyaniline, polypyrrole, polyfuran, polythiophene, polyphenyle, poly(vinylpyridine), poly(p-phenylene), poly(p-phynylene vinylene), polyacetylene, poly(3,4-ethylene dioxythiophene), polyphenylene oxide, polyfluorene, poly(p-phenylene sulfide), polyvinyl chloride, polypropylene, polystyrene, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyvinylpyrrolidone, 및 polymethyl methacrylate 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 감지소재.

제1항에 있어서,상기 고분자의 분자량(Mw)은 10,000 내지 5,000,000 g/mol의 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 가스센서 감지소재.

제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 가스센서 감지소재;상기 가스센서 감지소재가 결착되는 센서 기판; 및상기 센서 기판의 상단에 형성되는 센서 전극을 포함하고,상기 센서 전극은 상기 센서 기판에 결착된 상기 가스센서 감지소재의 화학적 상호작용에 의한 전기적 저항변화 신호를 감지하는 것을 특징으로 하는 가스센서.

제6항에 있어서,상기 센서 기판은 유리, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonates (PC), polyethersulfone (PES), polyimide (PI), cyclic olefin copolymer (COC), poly-di-methyl-siloxane (PDMS), 실리콘, 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서.

제6항에 있어서, 상기 가스센서 감지소재는 상기 센서 기판의 상단에 기설정된 두께로 코팅되고,상기 기설정된 선폭은 1 nm 내지 1000 μm의 범위에 포함되는 것 을 특징으로 하는 가스센서.

제6항에 있어서, 상기 센서 전극은 상기 가스센서 감지소재의 전기적인 저항변화 특성을 감지하기 위한 금속인 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 은(Ag), 철(Fe), 구리(Cu), 니켈(Ni), 아연(Zn), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함하는 것 을 특징으로 하는 가스센서.

(a) 메조 치환된 기능기가 포함된 포르피린 분자에 킬레이트화 반응을 통하여 금속이온이 치환된 금속-포르피린 리셉터를 제조하는 단계; (b) 고분자-탄소나노튜브 분산용액을 제조하고 상기 금속-포르피린 리셉터를 상기 고분자-탄소나노튜브 분산용액 내의 고분자-탄소나노튜브에 기능화하는 단계; (c) 상기 고분자-탄소나노튜브 분산용액을 센서 기판에 균일하게 코팅하여 상기 센서 기판상에 금속-포르피린 리셉터가 기능화된 고분자-탄소나노튜브 복합소재를 형성하는 단계; 및 (d) 상기 고분자-탄소나노튜브 복합소재가 코팅된 센서 기판 상단에 센서 전극을 형성하는 단계를 포함하는 가스센서의 제작 방법.

제10항에 있어서,상기 (a) 단계에서,상기 금속-포르피린 리셉터는 포르피린 분자에 피리딜(pyridyl) 그룹, 페닐(phenyl) 그룹, 카르복시페닐(carboxyphenyl) 그룹, 아미노페닐(aminophenyl) 그룹, 및 하이드록시페닐(hydroxyphenyl) 그룹 중 적어도 하나가 메조 치환되어 제조되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제작 방법.

제10항에 있어서,상기 (a) 단계에서,상기 금속-포르피린 리셉터는 25 °C 내지 200 °C 범위에 포함되는 합성 온도로 포르피린 분자에 금속이온을 킬레이트화하여 제작되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제작 방법.

제10항에 있어서,상기 (b) 단계에서,상기 고분자-탄소나노튜브 분산용액에 포함되는 용매는 에탄올(ethanol), 메탄올(methanol), 프로판올(propanol), 부탄올(butanol), 이소프로필알콜(IPA), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide; DMF), 아세톤(acetone), 아세토니트릴(acetonitrile), 톨루엔(toluene), 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran), 1,2-다이클로로벤젠 (1,2-dichlorobenzene), 물(water), 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 적어도 하나의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제작 방법.

제10항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 고분자-탄소나노튜브 분산용액의 고분자는 탄소나노튜브의 무게 대비 0.01 내지 500의 범위에 포함되는 무게로 상기 고분자-탄소나노튜브 분산용액에 포함되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제작 방법.

제10항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 고분자-탄소나노튜브 분산용액을 드랍코팅(drop-coating) 공정, 스크린 프린팅(screen printing) 공정, 스프레이(spraying) 공정, 딥 코팅(dip coating) 공정, 및 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 공정 중 적어도 하나의 코팅 공정을 이용하여 상기 센서 기판상에 코팅하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제작 방법.

제10항에 있어서, 상기 (d) 단계에서,상기 센서 전극은 금속 페이스트 코팅, 물리기상증착방법, 및 화학기상증착방법 중 적어도 하나를 통해 상기 센서 기판상에 패터닝되고,상기 센서 전극의 적어도 일부가 상기 고분자-탄소나노튜브 복합소재의 상단의 적어도 일부와 연결되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제작 방법.

제10항에 있어서, 상기 금속-포르피린 리셉터가 기능화된 고분자-탄소나노튜브 복합소재는, 대기 중에 포함된 가스 성분과의 화학적인 상호작용을 통하여 전기저항이 변화하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제작 방법.

제18항에 있어서, 상기 가스센서는 상기 전기저항의 변화를 상기 센서 전극을 통해 감지하여 상기 대기 중에 포함된 가스 성분을 검출하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제작 방법.