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페로브스카이트 화합물;및상기 페로브스카이트 화합물들이 화학적으로 연결되도록 하며, 하기 화학식 1 로 표시되는 제1블록 공중합체로 구성된 가교 고분자를 포함하되, 상기 가교 고분자들 간에 수소결합을 형성하고,상기 페로브스카이트 화합물 및 하기 화학식 1로 표시되는 가교 고분자의 함량비(w/w)는 10000:1 내지 100:50 인 것을 특징으로 하는 유연성 자가치유 고분자-페로브스카이트 복합 조성물:[화학식1]상기 화학식1에서 상기 R은 탄소수 C1 내지 C3의 사슬형 알킬기이고, 상기 R'는 탄소수 C1 내지 C3의 사슬형 알킬기이다.

제1항에 있어서,상기 유연성 자가치유 고분자-페로브스카이트 복합 조성물은 상온 내지 300 이하의 온도 범위의 열처리에 의해 자가치유 되는 것을 특징으로 하는 유연성 자가치유 고분자-페로브스카이트 복합 조성물.

제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물은 ABX3, ABX4, A2BX4, A3BX5, A3B2X5, A4BX6, 또는 An-1PbnX3n+1 중 적어도 어느 하나의 구조를 가지되, 상기 A는 1가 양이온 또는 2가 양이온이고, 상기 B는 2가 금속 양이온 또는 3가 금속 양이온이며, 상기 X는 1가 음이온이고, 상기 n은 2 내지 6 사이의 정수인 것을 특징으로 하는 자가치유 고분자-페로브스카이트 복합 조성물.

하부전극층;상기 하부전극층 상에 위치하는 전자전달층;상기 전자전달층 상에 위치하되, 제1항의 자가치유 고분자-페로브스카이트 복합 조성물을 포함하는 페로브스카이트 광활성층;상기 페로브스카이트 광활성층 상에 위치하는 정공전달층;및상기 정공전달층 상에 위치하는 상부전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성 자가치유형 페로브스카이트 태양전지.

제6항에 있어서,상기 유연성 자가치유형 페로브스카이트 태양전지의 자가치유 고분자-페로브스카이트 복합 조성물은 상온 내지 300 의 온도 범위의 열처리에 의해 자가치유 되는 것을 특징으로 하는 유연성 자가치유형 페로브스카이트 태양전지.

제6항에 있어서,상기 유연성 자가치유 고분자-페로브스카이트 복합 조성물의 광전변환효율은 10(%) 내지 30(%) 인 것을 특징으로 하는 유연성 자가치유형 페로브스카이트 태양전지.

기판;상기 기판 상에 위치하는 하부전극층;상기 하부전극층 상에 위치하는 전자전달층;상기 전자전달층 상에 위치하되, 제1항의 자가치유 고분자-페로브스카이트 복합 조성물을 포함하는 페로브스카이트 광활성층;상기 페로브스카이트 광활성층 상에 위치하는 정공전달층;및상기 정공전달층 상에 위치하는 상부전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성 자가치유형 페로브스카이트 발광 다이오드.

제9항에 있어서,상기 유연성 자가치유형 페로브스카이트 발광 다이오드의 자가치유 고분자-페로브스카이트 복합 조성물은 상온 내지 300℃ 의 온도 범위의 열처리에 의해 자가치유 되는 것을 특징으로 하는 유연성 자가치유형 페로브스카이트 발광 다이오드.

제9항에 있어서,상기 유연성 자가치유형 페로브스카이트 발광 다이오드는 반치폭(full width half maximum)이 10nm 내지 50nm 인 것을 특징으로 하는 유연성 자가치유형 페로브스카이트 발광 다이오드.

제9항에 있어서,상기 유연성 자가치유형 페로브스카이트 발광 다이오드는 외부 양자 효율이 1%내지 50% 인 것을 특징으로 하는 유연성 자가치유형 페로브스카이트 발광 다이오드.