신축성 및 유전성을 가지는, 복합성 기판;상기 복합성 기판 저면에 형성되어 접지되는, 그라운드 판넬; 및상기 복합성 기판 상면에 형성되어 기준 범위 주파수에서 공진하는, 패치;를 포함하되,상기 복합성 기판 및 상기 패치가 신축하는 경우,상기 복합성 기판의 유전율은 상기 신축하는 길이의 제곱 수만큼 가변되고, 상기 패치의 주파수는 상기 기준 범위 내로 유지되고,상기 복합성 기판은,유전 분말로부터 형성된 소정 형상의 유전 클러스터를 포함하되,상기 복합성 기판이 늘어나는 방향으로 신축하는 경우,상기 유전 클러스터의 상기 소정 형상은, 상기 복합성 기판의 단위 부피당 상기 유전 분말의 수가 감소하도록 변화하고,상기 유전 분말은,바륨 티타네이트(barium titanate)를 포함하는, 안테나.

제1 항에 있어서, 상기 그라운드 판넬 및 상기 패치 중에서 적어도 하나는, 유연성을 가지는 금속 전도체 물질로 이루어지되,상기 유연성을 가지는 금속 전도체 물질은, 은(silver)을 포함하는, 안테나.

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제1 항에 있어서,상기 복합성 기판의 유전율은, 선형적으로 감소하는, 안테나.

제1 항에 있어서,상기 복합성 기판은,0.1 % 이상 내지 30 % 이하의 신축 범위에서, 상기 가변되는 유전율 범위를 가지되,상기 가변되는 유전율 범위는,1.5 이상 내지 7.5 이하인, 안테나.

제5 항에 있어서,상기 복합성 기판의 유전율은,상기 0.1 % 이상 내지 30 % 이하의 신축 범위에서,0.03 이상 내지 0.08 이하의 기울기로 감소하는, 안테나.

제1 항에 있어서,상기 복합성 기판은,0.25 W/mk 이상 내지 0.40 W/mk 이하의 열 전도도를 가지는, 안테나.

제1 항에 있어서, 상기 복합성 기판은,신축성을 가지는 신축성 고분자로 형성된 신축성 고분자 매트릭스를 포함하되,상기 신축성 고분자는, 실리콘 계열 물질이되,상기 실리콘 계열 물질은, 에코플렉스(ecoflex)를 포함하는, 안테나.

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신축성 및 유전성을 가지는 복합성 기판을 준비하는 단계;상기 복합성 기판 저면에 접지를 위한 그라운드 판넬을 형성하는 단계; 및상기 복합성 기판 상면에 기준 범위 주파수에서 공진하는 패치를 형성하는 단계;를 포함하되,상기 복합성 기판 및 상기 패치가 신축하는 경우,상기 복합성 기판의 유전율은 상기 신축하는 길이의 제곱 수만큼 가변되고, 상기 패치의 주파수는 상기 기준 범위 내로 유지되며,상기 복합성 기판을 준비하는 단계는,신축성을 가지는 신축성 고분자를 용매에 분산시켜, 소스 용액을 제조하는 단계;상기 소스 용액에, 유전성을 가지는 유전 분말을 혼합하여, 유전 소스를 제조하는 단계;상기 유전 소스에, 상기 유전 분말 간에 인력을 일으키는 촉매를 제공하여, 상기 유전 분말로부터 유전 클러스터를 형성하는 단계; 및상기 유전 클러스터가 형성된 상기 유전 소스를 경화시켜, 상기 신축성 고분자로부터 형성된 신축성 고분자 매트릭스에 상기 유전 클러스터가 분산된 상기 복합성 기판을 제조하는 단계;를 포함하되,상기 유전 클러스터를 형성하는 단계에서, 상기 촉매는, 상기 유전 소스에 점적법으로 제공되는, 안테나 제조방법.

제10 항에 있어서, 상기 그라운드 판넬을 형성하는 단계에서 상기 그라운드 판넬 및 상기 패치를 형성하는 단계에서 상기 패치 중에서 적어도 하나는, 유연성을 가지는 금속 전도체 물질로 이루어지되,상기 유연성을 가지는 금속 전도체 물질은, 은(silver)을 포함하고,상기 그라운드 판넬을 형성하는 단계는,상기 복합성 기판의 저면에 상기 유연성을 가지는 금속 전도체 물질이 포함된 잉크를 제공하여, 상기 그라운드 판넬을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 패치를 형성하는 단계는,상기 복합성 기판의 상면에 상기 유연성을 가지는 금속 전도체 물질을 소정 형상의 패턴으로 형성하는 단계를 더 포함하는, 안테나 제조방법.

제10 항에 있어서, 상기 촉매는, 물인, 안테나 제조방법.

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