펠리클 구조체 및 이를 이용한 리소그래피용 마스크의 결함 검사 방법
Pellicle structure and Method of inspecting mask for lithography using the pellicle structure
특허 요약
루테늄(Ru)을 포함하는 제1 보호층(the first protective layer), 상기 제1 보호층 상에 제공되고, 그라파이트(Graphite) 또는 실리콘 질화물을 포함하는 코어층(core layer), 및 상기 코어층 상에 제공되고, 루테늄을 포함하는 제2 보호층(the second protective layer)을 포함하는 펠리클 구조체가 제공될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른. 펠리클 구조체를 준비하는 단계, 상기 펠리클 구조체를 마스크 상에 배치하는 단계, 극자외선 또는 심자외선을 포함하는 검사 광이 조사되어, 제1 보호층, 코어층, 및 제2 보호층을 포함하는 상기 펠리클 구조체의 멤브레인을 투과하는 단계, 상기 검사 광이 상기 마스크에서 반사되는 단계, 반사된 상기 검사 광이, 상기 펠리클 구조체의 상기 멤브레인을 재투과하는 단계, 및 재투과된 상기 검사 광을, 검출계로 수집하여, 상기 마스크의 결함 여부를 검출하는 단계를 포함하는 리소그래피용 마스크의 결함 검사 방법이 제공될 수 있다.
청구항
번호청구항
1

루테늄(Ru)을 포함하는 제1 보호층(the first protective layer);상기 제1 보호층 상에 제공되고, 그라파이트(Graphite)를 포함하는 코어층(core layer); 및상기 코어층 상에 제공되고, 루테늄을 포함하는 제2 보호층(the second protective layer)을 포함하되,상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층의 두께는 1.5 nm 이상 2.0 nm 미만이고, 펠리클 구조체는, 13.5 nm의 파장을 포함하는 극자외선(extreme ultraviolet, EUV)에 대한 투과율이 90% 이상이고, 193 nm의 파장을 포함하는 심자외선(deep ultraviolet, DUV)에 대한 투과율이 40% 이상인 것을 포함하는 펠리클 구조체.

2

제1 항에 있어서, 상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층의 두께는 서로 동일하고, 상기 코어층의 두께는, 상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층의 두께의 합보다 두꺼운 것을 포함하는 펠리클 구조체.

3

삭제

4

제1 항에 있어서,상기 코어층의 두께가 8 nm인 것을 포함하는 펠리클 구조체.

5

제1 항에 있어서,상기 코어층의 두께가 18 nm인 것을 포함하는 펠리클 구조체.

6

삭제

7

삭제

8

삭제

9

제1 항에 따른, 펠리클 구조체를 준비하는 단계;상기 펠리클 구조체를 마스크 상에 배치하는 단계;극자외선 또는 심자외선을 포함하는 검사 광이 조사되어, 제1 보호층, 코어층, 및 제2 보호층을 포함하는 상기 펠리클 구조체의 멤브레인을 투과하는 단계;상기 검사 광이 상기 마스크에서 반사되는 단계;반사된 상기 검사 광이, 상기 펠리클 구조체의 상기 멤브레인을 재투과하는 단계; 및재투과된 상기 검사 광을, 검출계로 수집하여, 상기 마스크의 결함 여부를 검출하는 단계를 포함하는 리소그래피용 마스크의 결함 검사 방법.

10

제9 항에 있어서,극자외선 및 심자외선이 상기 펠리클 구조체의 상기 멤브레인을 투과하여, 상기 마스크 상에 상기 펠리클 구조체가 배치된 상태에서 결함 검사가 수행되는 것을 포함하는 리소그래피용 마스크의 결함 검사 방법.

11

제9 항에 있어서,상기 펠리클 구조체의 상기 멤브레인은, 극자외선 투과율이 90 % 이상이고, 심자외선 투과율이 40 % 이상인 것을 포함하는 리소그래피용 마스크의 결함 검사 방법.