하부전극, 상기 하부전극 상에 위치하는 금속층, 상기 금속층 상에 위치하고 광전도성 고분자, 비선형 광학색소 및 광감응체를 함유하는 유기 광굴절층, 및 상기 광굴절층 상에 위치하는 광투과전극인 상부전극을 포함하는 광변조 소자; 및 상기 광변조 소자의 광굴절층에 한 쌍의 광들을 교차 조사하여 상기 광굴절층 내에 회절격자를 발생시키는 회절격자 발생 광원부를 포함하는 광변조기.

제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 금(Au), 은(Ag), 동(Cu) 및 알루미늄(Al) 중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 광변조기.

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제 1 항에 있어서, 상기 금속층과 상기 상부전극 사이에 서로 이격된 적어도 한 쌍의 스페이서들을 더 포함하고, 상기 유기 광굴절층은 상기 한 쌍의 스페이서들 사이에 위치하는 광변조기.

제 1 항에 있어서, 상기 회절격자 발생 광원부는 단파장 광원, 상기 광원으로부터 나온 광을 한 쌍의 결 맞은 광들로 분할시키는 광 스플릿터를 포함하는 광변조기.

제 5 항에 있어서, 상기 회절격자 발생 광원부는 상기 한 쌍의 결 맞은 광들 중 어느 하나를 차단 또는 통과시킬 수 있는 셔터를 더 포함하는 광변조기.

제 1 항에 있어서, 상기 하부전극과 상기 상부전극 사이에 전계를 인가하는 전계 인가부를 더 포함하는 광변조기.

하부전극, 상기 하부전극 상에 위치하는 금속층, 상기 금속층 상에 위치하고 광전도성 고분자, 비선형 광학색소 및 광감응체를 함유하는 유기 광굴절층, 및 상기 광굴절층 상에 위치하는 광투과전극인 상부전극을 포함하는 광변조 소자를 제공하는 단계; 상기 광변조 소자의 광굴절층에 제1 사이각을 갖는 한 쌍의 광들을 교차 조사하여 상기 광굴절층 내에 제1 격자 간격을 갖는 제1 회절격자를 생성하는 단계; 상기 상부전극 상부에서 상기 제1 회절격자가 생성된 광굴절층으로 피변조광을 조사하는 단계; 및 상기 광굴절층과 상기 금속층 계면으로부터 반사된 제1 변조광을 검출하는 단계를 포함하는 광변조 방법.

제 8 항에 있어서, 상기 제1 회절격자를 생성하는 단계에서 상기 제1 사이각을 갖는 한 쌍의 광들을 형성하는 것은 단파장 광원으로부터 발생된 단파장 광을 상기 제1 사이각을 갖도록 한 쌍의 결 맞은 광들로 분할시키는 것을 포함하는 광변조 방법.

제 8 항에 있어서, 상기 제1 변조광을 검출한 후, 상기 광변조 소자의 광굴절층 내에 생성된 제1 회절격자를 소멸시키는 단계; 상기 광변조 소자의 광굴절층에 제2 사이각을 갖는 한 쌍의 광들을 교차 조사하여 상기 광굴절층 내에 제2 격자 간격을 갖는 제2 회절격자를 생성하는 단계; 상기 상부전극 상부에서 상기 제2 회절격자가 생성된 광굴절층으로 피변조광을 조사하는 단계; 및 상기 광굴절층과 상기 금속층 계면으로부터 반사된 제2 변조광을 검출하는 단계를 더 포함하는 광변조 방법.

제 10 항에 있어서, 상기 제1 회절격자를 소멸시키는 단계는 상기 한 쌍의 결 맞은 광들 중 어느 하나의 광을 차단시키고 나머지 하나의 광을 상기 광굴절층에 조사하여 수행하는 것을 포함하고, 상기 제2 회절격자를 생성하는 단계에서 상기 제2 사이각을 갖는 한 쌍의 광들을 형성하는 것은 단파장 광원으로부터 발생된 단파장 광을 상기 제2 사이각을 갖도록 한 쌍의 결 맞은 광들로 분할시키는 것을 포함하는 광변조 방법.

제 8 항에 있어서, 상기 하부전극과 상기 상부전극 사이에 전계를 인가하는 전계 인가 단계를 더 포함하는 광변조 방법.

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제 8 항에 있어서, 상기 금속층은 금(Au), 은(Ag), 동(Cu) 및 알루미늄(Al) 중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 광변조 방법.