제1항에 있어서,상기 스핀 필터링층은 물에 안정적인 것을 특징으로 하는,스핀 의존적 산소 발생 반응 소자.

제1항, 및 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 스핀 의존적 산소 발생 반응 소자를 포함하는,물 분해 장치.

제1항, 및 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 스핀 의존적 산소 발생 반응 소자를 포함하는,연료 전지.

제1항, 및 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 스핀 의존적 산소 발생 반응 소자를 포함하는,광전기화학 전지.

제1항, 및 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 스핀 의존적 산소 발생 반응 소자를 포함하는,폐수 처리 장치.

제1항, 및 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 스핀 의존적 산소 발생 반응 소자를 포함하는,이산화탄소 환원 장치.

제1항에 있어서,상기 촉매층은 NiFe 기반 (옥시)수산화물 (NiFe-based (oxy)hydroxide)을 포함하는,스핀 의존적 산소 발생 반응 소자.

제1항에 있어서,상기 스핀 필터링층은 상기 촉매층 표면에 스핀-정렬을 발생시키는,스핀 의존적 산소 발생 반응 소자.

투명전극 상에 위치하는 광흡수층;상기 광흡수층 상에 위치하는 스핀 필터링층; 및상기 스핀 필터링층 상에 위치하는 산소 발생 반응용 촉매층;을 포함하며,상기 스핀 필터링층은 2차원 유-무기 페로브스카이트 물질(2D Organic-inorganic perovskite, 2D OIHP)을 포함하고,상기 2D OIHP는 플루오린 치환된 메틸 벤질 아민(Fluorinated-methyl benzyl amine, F-MBA)을 포함하는,스핀 의존적 산소 발생 반응 소자.

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제1항에 있어서,상기 F-MBA는 ortho-(S-2F-MBA), para-(S-4F-MBA) 및 meta-(S-3F-MBA-)의 세 가지 구조 이성질체 중 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는,스핀 의존적 산소 발생 반응 소자.

제3항에 있어서,상기 F-MBA는 ortho-(S-2F-MBA) 및 para-(S-4F-MBA) 구조 이성질체 중 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는,스핀 의존적 산소 발생 반응 소자.

제1항에 있어서,상기 2D OIHP는 ortho-(S-2F-MBA) 구조 이성질체의 F-MBA를 포함하는,스핀 의존적 산소 발생 반응 소자.

제1항에 있어서,상기 광흡수층은 TiO2, ZnO, C3N4, WO3, Bi2WO6, BiVO4, CdS, TaON, CuWO4, ZnFe2O4, Fe2O3, Ta3N5 및 CaFe2O4 중 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는,스핀 의존적 산소 발생 반응 소자.