제1 전극;상기 제1 전극과 이격되어 형성된 제2 전극; 및상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 인접하여 형성되고, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 통해 인가되는 전압 및 외부 습도의 변화에 따라 전도성 필라멘트가 제어되어 고저항 상태 및 저저항 상태 중 어느 하나의 상태로 변화하는 절연층을 포함하고, 상기 절연층은상기 외부 습도가 기설정된 쓰기 습도 값 이상이 되면, 상기 절연층 상에서 증가하는 수소 이온의 전도도에 대응하여 증가된 수소 이온이 금속 이온의 산화/환원 전위를 낮추게 함으로써 상기 전도성 필라멘트가 형성됨에 따라 상기 저저항 상태로 변화하는 저항 변화 메모리 소자.

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제1항에 있어서,상기 절연층은상기 저저항 상태에서, 상기 외부 습도가 기설정된 소거 습도 값 내지 상기 쓰기 습도 값의 범위 내에서 어느 하나의 습도 값으로 변화 하더라도 상기 저저항 상태를 유지하는 저항 변화 메모리 소자.

제3항에 있어서,상기 절연층은상기 외부 습도가 상기 소거 습도 값 이하가 되면 상기 전도성 필라멘트가 소멸되어 상기 고저항 상태로 변화하는 저항 변화 메모리 소자.

제1항에 있어서,상기 절연층은상기 제1 전극에 기설정된 쓰기 전압 레벨 이상의 양의 전압(positive voltage)이 인가되면, 상기 전도성 필라멘트가 형성되어 상기 저저항 상태로 변화하는 저항 변화 메모리 소자.

제1항에 있어서,상기 절연층은상기 제1 전극에 기설정된 소거 전압 레벨 이하의 음의 전압(negative voltage)이 인가되면, 상기 전도성 필라멘트가 소멸되어 고저항 상태로 변화하는 저항 변화 메모리 소자.

제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 절연층의 상부에 형성되고, 상기 제2 전극은 상기 절연층의 하부에 형성되는 저항 변화 메모리 소자.

제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 절연층의 상부 또는 하부에 형성되는 저항 변화 메모리 소자.

제1 전극;상기 제1 전극과 이격되어 형성된 제2 전극; 및상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 인접하여 형성되고, 전압 변화 없이 외부 습도의 변화에 따라 전도성 필라멘트가 제어되어 고저항 상태 및 저저항 상태 중 어느 하나의 상태로 변화하는 절연층을 포함하는 저항 변화 메모리 소자.

제9항에 있어서,상기 절연층은상기 외부 습도가 기설정된 쓰기 습도 값 이상이 되면, 상기 절연층 상에서 증가하는 수소 이온의 전도도에 대응하여 증가된 수소 이온이 금속 이온의 산화/환원 전위를 낮추게 함으로써 상기 전도성 필라멘트가 형성됨에 따라 상기 저저항 상태로 변화하는 저항 변화 메모리 소자.

제10항에 있어서,상기 절연층은상기 저저항 상태에서, 상기 외부 습도가 기설정된 소거 습도 값 내지 상기 쓰기 습도 값의 범위 내에서 어느 하나의 습도 값으로 변화 하더라도 상기 저저항 상태를 유지하는 저항 변화 메모리 소자.

제11항에 있어서,상기 절연층은상기 외부 습도가 상기 소거 습도 값 이하가 되면 상기 전도성 필라멘트가 소멸되어 상기 고저항 상태로 변화하는 저항 변화 메모리 소자.

제9항에 있어서,상기 절연층은펩타이드 결합이 적어도 하나 이상 있는 티로신(tyrosine) 기반의 펩타이드 물질을 포함하는 저항 변화 메모리 소자.