기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;게이트 전극 상에 유전체층을 형성하는 단계;유전체층 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 상에 서로 이격되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 기판은 생분해성 물질로 구성되고, 상기 유전체층은 펩타이드 기반의 물질로 구성되며, 상기 반도체층은 무기 반도체 물질로 구성되며,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나는 생분해성 금속으로 구성되며,상기 무기 반도체 물질은 흑린인 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터.

기판; 상기 기판 상에 형성되는 반도체층;상기 반도체층 상에 서로 이격되어 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 형성되는 유전체층; 및상기 유전체층 상에 형성되는 게이트 전극;을 포함하고, 상기 기판은 생분해성 물질로 구성되고, 상기 유전체층은 펩타이드 기반의 물질로 구성되며, 상기 반도체층은 무기 반도체 물질로 구성되며,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나는 생분해성 금속으로 구성되며,상기 무기 반도체 물질은 흑린인 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 생분해성 물질은 무기물질, 유기물질 및 생체 적합성 재료 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터.

삭제

삭제

제1항에 있어서, 상기 유전체층은 펩타이드 결합이 하나 이상 있는 티로신(tyrosine) 기반의 펩타이드로 구성되는 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터.

제1항에 있어서, 상기 기판, 반도체층, 유전체층, 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극은 36시간 내에 용해되는 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터.

기판;상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성되는 유전체층;상기 유전체층 상에 형성되는 반도체층; 및상기 반도체층 상에 서로 이격되어 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극; 을 포함하고,상기 기판은 생분해성 물질로 구성되고, 상기 유전체층은 펩타이드 기반의 물질로 구성되며, 상기 반도체층은 무기 반도체 물질로 구성되며,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나는 생분해성 금속으로 구성되며,상기 무기 반도체 물질은 흑린인 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터.

기판 상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 서로 이격되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 반도체층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성된 상기 기판 상에 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층 상에 형성되는 게이트 전극을 포함하고, 상기 기판은 생분해성 물질로 구성되고, 상기 유전체층은 펩타이드 기반의 물질로 구성되며, 상기 반도체층은 무기 반도체 물질로 구성되며,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나는 생분해성 금속으로 구성되며,상기 무기 반도체 물질은 흑린인 것을 특징으로 하는 생분해성 전계 효과 트랜지스터.