| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 3차원 위상절연체의 물질 표면의 에너지 준위가 금속특성(TSS(topological surface state))을 가지고, 3차원 위상절연체의 물질 내부의 벌크는 인슐레이터(insulator) 혹은 위상절연체를 가지는 3차원 위상절연체의 물질에 인듐(In)을 첨가하여 상기 벌크에서 발생된 테라헤르츠의 제 1 리스펀스와 상기 금속특성 부분에서 발생된 테라헤르츠의 제 2 리스펀스 간의 상호작용이나 간섭을 통해 파노 공명(Fano Resonance : FR)을 비대칭성으로 발생시키는 것을 특징으로 하는 초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법. |
| 2 | 제 1 항에 있어서, 상기 3차원 위상절연체 물질은 비스무스 셀레나이드(Bi2se3)인 것을 특징으로 하는 초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법. |
| 3 | 제 1 항에 있어서,상기 첨가되는 인듐은 치환 농도가 6% 이하로 치환되는 것을 특징으로 하는 초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법. |
| 4 | 제 1 항에 있어서,상기 인듐(In)이 첨가된 3차원 위상절연체의 물질에 광학 펄스를 조사시켜 제 1 리스펀스와 제 2 리스펀스 간의 상호작용이나 간섭을 통해 파노 공명(Fano Resonance : FR)을 비대칭성으로 발생시키는 것을 특징으로 하는 초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법. |
| 5 | 제 4 항에 있어서,상기 광학 펄스는 800나노미터(nm)의 크기인 것을 특징으로 하는 초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법. |
| 6 | 제 4 항에 있어서,상기 광학 펄스는 테라헤르츠 펄스와 광학펄스와의 시간에 따라 0.5ps ~ 3.5ps 사이의 간격으로 조사하는 것을 특징으로 하는 초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법. |
| 7 | 제 6 항에 있어서,상기 3차원 위상절연체의 물질에 첨가되는 인듐(In)은 치환 농도가 4% 인 것을 특징으로 하는 초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법. |
