다층 구조 소자의 층의 커버율 검출 방법
METHOD FOR DETECTING COVERAGE OF A LAYER OF A MULTILAYER-STRUCTURED DEVICE
특허 요약
본 발명은 다층 구조 소자에서 제1 층 상의 제2 층의 커버율을 제2 층 상의 제3 층의 결정화율에 기초하여 검출하는 다층 구조 소자를 구성하는 층의 커버율 검출 방법에 관한 것이다. 본 발명에서 다층 구조 소자는 기판과, 기판 상에 피착된 제1 층과 제1 층 상에 피착된 제2 층 및 제2 층 상에 피착된 제3 층을 포함하고, 제1 층 상의 제2 층의 커버율은 제3 층의 결정화율에 의해 결정된다. 이때, 제3 층의 결정화율은 X-선 회절을 측정함으로써 구할 수 있다. 다층 구조 소자, 커버율, X-선 회절
청구항
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다층 구조 소자를 구성하는 층의 커버율 검출 방법이며, 다층 구조 소자는, 기판과, 기판 상에 피착된 제1 층과, 제1 층 상에 피착된 제2 층, 및 제2 층 상에 피착된 제3 층 을 포함하고, X-선 회절에 의해 검출된 제2 층에 의해 유도된 제3 층의 결정화율에 기초하여 제2 층의 제1 층에 대한 커버율을 검출하는, 커버율 검출 방법.

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제6항에 있어서, 제2 층의 커버율이 증가할수록 제3 층의 결정화율이 증가하는, 커버율 검출 방법.

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제6항에 있어서, 제3 층의 결정화율이 포화되면 제2 층의 커버율은 100%로 결정되는, 커버율 검출 방법.

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제6항, 제8항 또는 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 기판은 ITO 코팅된 유리 기판이고, 제1 층은 Alq3이고, 제2 층은 LiF이고, 제3 층은 Al인, 커버율 검출 방법.

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제6항에 있어서, 제2 층은 제3 층의 결정화를 방해하는, 커버율 검출 방법.

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제6항에 있어서, 제2 층의 커버율이 증가할수록 제3 층의 결정화율이 감소하는, 커버율 검출 방법.

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다층 구조 소자의 제조 방법으로서, 기판 상에 제1 층을 피착하는 단계와 제1 층 상에 제2 층을 피착하는 단계, 및 제2 층 상에 제3 층을 피착하는 단계 를 포함하고, 제6항, 제8항, 제9항, 제12항 또는 제13항 중 어느 한 항에 따른 커버율 검출 방법에 의해 검출된 제2 층의 제1층에 대한 커버율을 제공하는 두께로 제2 층을 제1 층 상에 피착하는, 다층 구조 소자의 제조 방법.

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