플라즈마를 이용한 액정표시장치용 무기배향막의표면처리방법
METHOD FOR SURFACE-TREATING NON-ORGANIC ALIGNMENT LAYERFILMS USING PLASMA
특허 요약
본 발명은 플라즈마를 이용하여 무기배향막의 표면을 처리하는 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기판위에 수직 배향력을 제공하도록 구성물질의 화학식량을 조절하여 상기 구성물질의 양이 결정된 액정표시소자용 무기배향막을 증착하여 얻고, 저압챔버 내부에 설치된 전극 사이에 상기 무기배향막을 위치시키고, 상기 저압챔버 내부에 기체를 주입한 후, 상기 전극에 전원을 가하여 상기 기체로부터 전이된 플라즈마 기체로 상기 무기배향막의 표면을 처리함으로써 상기 무기배향막의 수직배향력을 복원시키는 것을 특징으로 하여 무기배향막의 표면의 열적 및 화학적 안정성을 확보하고, 액정의 수직 배향력을 향상시키기 위한 것이다. 무기배향막, 표면처리, 플라즈마
청구항
번호청구항
1

기판위에 수직 배향력을 제공하도록 구성물질의 화학식량을 조절하여 상기 구성물질의 양이 결정된 액정표시소자용 무기배향막을 증착하여 얻고, 저압챔버 내부에 설치된 전극 사이에 상기 무기배향막을 위치시키고, 상기 저압챔버 내부에 기체를 주입한 후, 상기 전극에 전원을 가하여 상기 전극 사이에서 상기 기체로부터 전이된 플라즈마 기체로 상기 전극 사이에 존재하는 상기 무기배향막의 표면을 전체적으로 균일하게 처리함으로써 상기 무기배향막의 수직배향력을 복원시키는 것을 특징으로 하는 무기배향막의 표면처리방법.

2

제1항에 있어서,상기 무기배향막의 증착은 화학기상증착, 열증발증착, 전자빔증착, 스퍼터링 중 어느 하나에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기배향막의 표면처리방법.

3

제1항에 있어서,상기 무기배향막은 a-SiO2, a-Si, a-SiC, CeO2 로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 무기배향막의 표면처리방법.

4

제1항에 있어서, 상기 기체는 O2, CF4, Ar 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 무기배향막의 표면처리방법.

5

제1항에 있어서,상기 전원의 인가되는 전력의 크기와 처리시간이 반비례를 이루는 것을 특징으로 하는 무기배향막의 표면처리방법.