| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 기판 상부 표면 상에, 헤테로 고리 또는 벤젠 고리를 포함하는 중심 고리 및 이와 공유 결합된 탄소 사슬을 포함하는 화합물로 구성되는 자기 조립화 단분자층(SAM)을 형성하는 단계;상기 자기 조립화 단분자층에 전자 반응을 통해, 노출 영역 및 비노출 영역을 형성하는 단계; 및상기 자기 조립화 단분자층 상에 전구체 물질을 원자층 증착(ALD)에 의해 증착하여, 상기 노출 영역에 상기 전구체 물질로부터 ALD 층을 선택적으로 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 영역 선택적 원자층 증착 방법. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 자기 조립화 단분자층을 형성하는 단계는, 용액 전단법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는, 영역 선택적 원자층 증착 방법. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 화합물은, 하기 화학식 1 또는 2 로 표시되는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착 방법:[화학식 1][화학식 2]상기 화학식 1 내지 2에서,R1은 탄소수 1 내지 20의 알킬이다. |
| 4 | 제3항에 있어서,상기 화합물은 하기 화학식 1-1 또는 2-1 인 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착 방법:[화학식 1-1][화학식 2-1] |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 기판은, 산화 실리콘, 산화 알루미늄 또는 가돌리늄 수산화물 기판인 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착 방법. |
| 6 | 제1항에 있어서,상기 전구체 물질은, 메틸기를 포함하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착 방법. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 ALD 층은, 인듐 산화물, 타이타늄 산화물 또는 하프늄 산화물인 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착 방법. |
| 8 | 제6항에 있어서,상기 ALD 층이 인듐 산화물인 경우 TrimethylIndium 전구체를,상기 ALD 층이 타이타늄 산화물인 경우 Tetrakis(dimethylamino)titanium 전구체를,상기 ALD 층이 하프늄 산화물인 경우 Tetrakis(dimethylamino)hafnium 전구체를 사용하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 원자층 증착 방법. |
| 9 | 제1항의 영역 선택적 원자층 증착 방법에서,상기 ALD 층이 성장한 기판의 비노출 영역에 해당하는 자기 조립화 단분자층을 식각하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 패터닝 기판 제조 방법. |
| 10 | 제9항의 영역 패터닝 기판 제조 방법에 의해 제조된 패터닝 기판. |
