이황화 몰리브덴(MoS2) 박막의 제조 방법에 있어서,유기금속화학기상증착법(MOCVD; metalorganic chemical vapor deposition)에 의해 황(S) 전구체와 몰리브덴(Mo) 전구체 및 지르코늄(Zr) 전구체를 MOCVD 챔버 내에 공급하여 Zr 도판트로 도핑된 단일층 MoS2 박막을 합성하는 단계를 포함하고,상기 Zr 도판트로 도핑된 단일층 MoS2 박막을 합성하는 단계에서, 상기 Zr 도판트는 상기 단일층 MoS2 박막에 P형으로 합성되는,지르코늄 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막의 제조 방법.

청구항 1에 있어서,상기 Zr 도판트는 Zirconium Cyclopentadienyl N-ethoxy-2,2-dimethylpropanamide를 포함하는, 지르코늄 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막의 제조 방법.

청구항 1에 있어서,상기 Mo 전구체는 Mo(CO)6를 포함하고, 상기 S 전구체는 (C2H5)2S를 포함하는, 지르코늄 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막의 제조 방법.

청구항 1에 있어서,상기 합성하는 단계에서 상기 Zr 전구체의 압력은 600 torr 내지 1200 torr로 설정되어 상기 Zr 도판트로 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막이 합성되는, 지르코늄 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막의 제조 방법.

청구항 1에 있어서,상기 합성하는 단계에서 상기 Zr 전구체의 온도는 60℃ 내지 100℃로 설정되어 상기 Zr 도판트로 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막이 합성되는, 지르코늄 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막의 제조 방법.

청구항 1에 있어서,상기 합성하는 단계에서 자기-증발 가압 방식(self-evaporation type pressurizing type)으로 상기 Zr 전구체가 공급되어 상기 Zr 도판트로 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막이 합성되는, 지르코늄 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막의 제조 방법.

청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 지르코늄 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막의 제조 방법에 의해 합성되어 지르코늄(Zr) 도판트로 도핑된 단일층 MoS2 박막으로서, 상기 Zr 도판트는 상기 단일층 MoS2 박막에 P형으로 합성되는, 지르코늄 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막.

청구항 7에 있어서,몰리브덴(Mo) 전구체로 Mo(CO)6를 공급하고, 황(S) 전구체로 (C2H5)2S를 공급하고, 상기 Zr 도판트로 Zirconium Cyclopentadienyl N-ethoxy-2,2-dimethylpropanamide를 공급하여 합성되는, 지르코늄 도판트로 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막.

청구항 8에 있어서,상기 Zr 전구체의 압력이 600 torr 내지 1200 torr로 설정되어 합성되는, 지르코늄 도판트로 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막.

청구항 8에 있어서,상기 Zr 전구체의 온도가 60℃ 내지 100℃로 설정되어 합성되는, 지르코늄 도판트로 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막.

단일층의 이황화 몰리브덴(MoS2)으로 이루어지는 박막층; 및상기 박막층에 도핑되는 지르코늄(Zr) 도판트를 포함하고,상기 Zr 도판트는 상기 박막층에 P형으로 도핑되는,지르코늄 도판트로 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막.

드레인 전극과 소스 전극 사이에 마련되는 채널층 및 상기 채널층으로 게이트 전압을 인가하기 위한 게이트 전극을 포함하는 트랜지스터 소자로서,상기 채널층은 청구항 11에 기재된 지르코늄 도판트로 P형 도핑된 단일층 MoS2 박막을 포함하는, 트랜지스터 소자.