메모리 장치(memory device)를 제어(control)하는 방법에 있어서,호스트(host)로부터 상기 메모리 장치의 메모리 셀 어레이(memory cell array)의 각 열(column)에 대응하는 전압 정보를 획득하는 동작(obtaining); 및상기 전압 정보에 기초하여, 상기 각 열에 포함된 메모리 셀들에 상기 각 열에 대응하는 전압을 인가하는 동작을 포함하고,상기 전압 정보는,상기 각 열에 포함된 레퍼런스 메모리 셀(reference memory cell)의 특성에 따라 결정되는 것인, 방법.

제1항에 있어서,상기 전압 정보는,상기 레퍼런스 메모리 셀에 대한 전류를 보정하기 위한 보정 정보(correcting information)를 포함하는, 방법.

제1항에 있어서,상기 획득하는 동작은,상기 호스트로부터 룩업 테이블(look-up table)을 수신하는 동작; 및상기 룩업 테이블에 포함된 상기 전압 정보를 획득하는 동작을 포함하는, 방법.

제1항에 있어서,상기 메모리 장치는,CIM(computing in-memory)을 수행하는, 방법.

제1항에 있어서,상기 메모리 장치는,내장형 플래시 메모리(embedded flash memory)를 포함하는, 방법.

제1항에 있어서,상기 메모리 셀들 각각은,비트라인(bit line)에 연결되는 제1 트랜지스터를 포함하고,상기 제1 트랜지스터에 인가되는 게이트 전압은 상기 비트라인에 인가되는 전압보다 낮은, 방법.

메모리 장치를 제어하는 장치에 있어서,프로세서; 및인스트럭션들을 저장하는 메모리를 포함하고,상기 인스트럭션들은 상기 프로세서에 의해 실행될 때, 상기 장치로 하여금 복수의 동작들을 수행하도록 하고,상기 복수의 동작들은,호스트(host)로부터 상기 메모리 장치의 메모리 셀 어레이(memory cell array)의 각 열(column)에 대응하는 전압 정보를 획득하는 동작(obtaining); 및상기 전압 정보에 기초하여, 상기 각 열에 포함된 메모리 셀들에 상기 각 열에 대응하는 전압을 인가하는 동작을 포함하고,상기 전압 정보는,상기 각 열에 포함된 레퍼런스 메모리 셀(reference memory cell)의 특성에 따라 결정되는 것인, 장치.

제7항에 있어서,상기 전압 정보는,상기 레퍼런스 메모리 셀에 대한 전류를 보정하기 위한 보정 정보(correcting information)를 포함하는, 장치.

제7항에 있어서,상기 획득하는 동작은,상기 호스트로부터 룩업 테이블(look-up table)을 수신하는 동작; 및상기 룩업 테이블에 포함된 상기 전압 정보를 획득하는 동작을 포함하는, 장치.

제7항에 있어서,상기 메모리 장치는,CIM(computing in-memory)을 수행하는, 장치.

제7항에 있어서,상기 메모리 장치는,내장형 플래시 메모리(embedded flash memory)를 포함하는, 장치.

제7항에 있어서,상기 메모리 셀들 각각은,비트라인(bit line)에 연결되는 제1 트랜지스터를 포함하고,상기 제1 트랜지스터에 인가되는 게이트 전압은 상기 비트라인에 인가되는 전압보다 낮은, 장치.