대칭축을 중심으로 단면이 대칭을 이루며 일단은 개방되고 타단은 폐쇄된 방전 채널;상기 대칭축을 기준으로 상기 방전 채널보다 내측에 배치되는 제1 자기장 발생부;상기 대칭축을 기준으로 상기 방전 채널보다 외측에 배치되는 제2 자기장 발생부;상기 방전 채널의 내부에 위치하며 상기 방전 채널의 내부에 연료를 분사하는 양극;상기 방전 채널의 내부로 전자를 방출하는 음극;상기 대칭축 및 상기 제1 자기장 발생부 사이에 배치되는 중심 기둥;상기 중심 기둥과 연결되는 바닥 판; 상기 바닥 판에 연결되며 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 벽;을 포함하며,상기 바닥 판은 상기 중심 기둥이 연결된 면의 반대 면 중 적어도 일부가 돌출된, 홀추력기.

제1 항에 있어서,상기 바닥 판은상기 중심 기둥과 연결되며 상기 대칭축의 방향으로 제1 두께를 가지는 기저부; 및상기 기저부에서 상기 중심 기둥이 연결된 면의 반대 면에 배치되며, 상기 대칭축의 방향으로 제2 두께를 가지는 돌출부;를 포함하는, 홀추력기.

제2 항에 있어서,상기 복수 개의 벽은상기 제1 자기장 발생부 및 상기 방전 채널 사이에 배치되는 제1 벽;상기 방전 채널 및 상기 제2 자기장 발생부 사이에 배치되는 제2 벽; 및상기 제2 자기장 발생부의 외측에 배치되는 제3 벽;을 포함하는, 홀추력기.

제3 항에 있어서,상기 돌출부의 반경은 상기 제1 벽의 외경보다 크거나 상기 제1 벽의 외경과 같은, 홀추력기.

제3 항에 있어서,상기 중심 기둥 및 상기 바닥 판은 하기 [수학식 1]을 만족하는, 홀추력기.[수학식 1]상기 [수학식 1]에서 R01은 상기 대칭축에서 상기 중심 기둥의 외주면까지의 거리를 의미하며, R02는 상기 대칭축에서 상기 중심 기둥의 내주면까지의 거리를 의미하고, 80T는 상기 돌출부가 배치된 부분의 상기 바닥 판의 전체 두께를 의미한다.

제3 항에 있어서,상기 제1 벽 및 상기 바닥 판은 하기 [수학식 2]를 만족하는, 홀추력기.[수학식 2]상기 [수학식 2]에서 R11는 상기 대칭축에서 상기 제1 벽의 외주면까지의 거리를 의미하며, R12는 상기 대칭축에서 상기 제1 벽의 내주면까지의 거리를 의미하고, 80T는 상기 돌출부가 배치된 부분의 상기 바닥 판의 전체 두께를 의미한다.

제3 항에 있어서,상기 제2 벽 및 상기 기저부는 하기 [수학식 3]을 만족하는, 홀추력기.[수학식 3]상기 [수학식 3]에서 R21는 상기 대칭축에서 상기 제2 벽의 외주면까지의 거리를 의미하며, R22는 상기 대칭축에서 상기 제2 벽의 내주면까지의 거리를 의미하고, 81T는 상기 제1 두께를 의미한다.

제3 항에 있어서,상기 제3 벽 및 상기 기저부는 하기 [수학식 4]를 만족하는, 홀추력기.[수학식 4]상기 [수학식 4]에서 R31는 상기 대칭축에서 상기 제3 벽의 외주면까지의 거리를 의미하며, R32는 상기 대칭축에서 상기 제3 벽의 내주면까지의 거리를 의미하고, 81T는 상기 제1 두께를 의미한다.

대칭축을 중심으로 단면이 대칭을 이루며 일단은 개방되고 타단은 폐쇄된 방전 채널;상기 대칭축을 기준으로 상기 방전 채널보다 내측에 배치되는 제1 자기장 발생부;상기 대칭축을 기준으로 상기 방전 채널보다 외측에 배치되는 제2 자기장 발생부;상기 방전 채널의 내부에 위치하며 상기 방전 채널의 내부에 연료를 분사하는 양극;상기 방전 채널의 내부로 전자를 방출하는 음극;상기 대칭축 및 상기 제1 자기장 발생부 사이에 배치되는 중심 기둥;상기 중심 기둥과 연결되는 바닥 판; 상기 바닥 판에 연결되며 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 벽;을 포함하며,상기 바닥 판은 제1 부분 및 제2 부분을 포함하며,상기 방전 채널의 내측에 대응되는 상기 제1 부분의 두께는 상기 제2 부분의 두께보다 큰, 홀추력기.

제9 항에 있어서,상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이의 경계는 상기 방전 채널의 내주면에 대응되거나상기 대칭축을 기준으로 상기 방전 채널의 내주면보다 멀리 떨어져 있는, 홀추력기.