제1 항에 있어서, 상기 반응기의 온도를 조절하며 비화 붕소를 합성하는 단계는, 0.5K/hr 내지 3K/hr의 속도로 온도는 낮추는 단계인 비화 붕소의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 제1 온도는, 1100K 내지 1123K 이하 범위 내이고,상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도는, 923K 이상 973K 이하 범위 내이며,상기 제2 온도보다 낮은 제3 온도는, 823K 이상 853K 이하 범위 내인, 비화 붕소의 제조 방법.

고순도의 붕소 분말과 비소 분말, 및 플럭스 결정 분말을 준비하는 단계;상기 붕소 분말, 상기 비소 분말, 및 상기 플럭스 결정 분말을 혼합하는 단계;상기 붕소 분말, 상기 비소 분말, 및 상기 플럭스 결정 분말을 반응기 내에서 진공 상태로 밀봉하는 단계; 상기 반응기의 온도를 조절하며 비화 붕소를 합성하는 단계; 및 상기 반응기의 온도를 낮추고 합성된 상기 비화 붕소로부터 상기 플럭스 결정을 분리하는 단계를 포함하고, 상기 반응기의 온도를 조절하며 비화 붕소를 합성하는 단계는, 제1 온도에서 상기 비화 붕소를 합성하는 단계, 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도에서 상기 비화 붕소를 합성하는 단계 및 상기 제2 온도보다 낮은 제3 온도에서 상기 비화 붕소를 합성하는 단계를 포함하며,열 전달 계수가 1000W/m・K 이상이고, 단결정 형태이며, 플럭스 결정 합성법을 통하여 비화 붕소를 제조하는 것인, 비화 붕소의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 플럭스 결정 분말은 아이오딘(I2), 니켈(Ni), 구리(Cu), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 및 텔루륨(Te) 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 비화 붕소의 제조 방법.

제4 항에 있어서, 상기 플럭스 결정 분말은 구리:납(Cu:Pb), 니켈:아이오딘(Ni:I2) 니켈:구리(Ni:Cu), 니켈:팔라듐(Ni:Pd), 및 구리:텔루륨(Cu:Te) 중 어느 하나의 혼합 분말이고, 상기 혼합 분말에서 각 금속들의 질량 비율은 0.05:0.95 내지 0.95:0.05의 범위를 갖는 비화 붕소의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 합성된 비화 붕소의 형태는 다각형, 원형, 원기둥형, 및 와이어(Wire)형 중 어느 하나인 비화 붕소의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 합성된 비화 붕소는 직경이 1nm 내지 1mm의 범위를 갖고, 두께가 1㎛ 내지 1cm의 범위를 갖는 비화 붕소의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 반응기의 온도를 낮추고 합성된 상기 비화 붕소로부터 상기 플럭스 결정 분말을 분리하는 단계는 염산, 황산, 질산, 에탄올, 아세톤, IPA, 및 이들의 혼합물 중 어느 하나를 포함하는 식각 화합물로 상기 비화 붕소의 표면에 결합된 상기 플럭스 결정을 제거하는 단계를 포함하는 비화 붕소의 제조 방법.

제8 항에 있어서, 상기 식각 화합물은 염산:질산:황산 또는 에탄올:아세톤:IPA의 비율이 1:1:1 내지 5:1:1의 범위를 갖는 비화 붕소의 제조 방법.

제1항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법으로 제조된 비화 붕소로,열전달계수가 1000W/m・K 이상이고, 직경이 1nm 내지 1mm의 범위를 갖고, 두께가 1㎛ 내지 1cm의 범위를 갖는 단결정 형태의 비화 붕소.

기판, 및 상기 기판 상에 배치된 IC 칩을 포함하는 반도체 소자; 및상기 반도체 소자 상에 배치된 열 전달층과 상기 열 전달층 상에 배치된 방열판을 포함하고, 상기 열 전달층은 제10 항의 비화 붕소를 포함하는 반도체 패키지.

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