제1항에 있어서,상기 도핑된 2차원 물질 채널층의 물질에 따라 전하 밀도의 변화 정도를 제어하는 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 2차원 물질 게이트 절연층의 두께는, 원자층 두께 이상인 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 전극은 복수개의 소스 전극 및 게이트 전극을 포함하고,상기 전극은 배치되는 하부영역의 종류, 두께 또는 이둘에 따라 전하밀도가 제어되고,상기 하부영역은, 상기 도핑된 2차원 물질 채널층, 2차원 물질 게이트 절연층 또는 이둘 모두인 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

기판;상기 기판 상에 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상의 적어도 일부분에 도핑된 2차원 물질 채널층; 상기 도핑된 2차원 물질 채널층 상의 일부분 또는 상기 도핑된 2차원 물질 채널층과 상기 게이트 절연층 사이의 일부분에 2차원 물질 게이트 절연층; 상기 도핑된 2차원 물질 채널층 상에 배치되거나 접촉하는 전극; 및백 게이트 전극, 탑 게이트 전극 또는 이둘 모두;를 포함하고,상기 도핑된 2차원 물질 채널층 및 상기 2차원 물질 게이트 절연층은 2차원 물질의 나노 시트이고,상기 도핑된 2차원 물질 채널층은 도핑된 전이금속 다이칼코지나이드를 포함하고,상기 2차원 물질 게이트 절연층은,질화붕소(h-BN), 이온성 결정(ionic Crystals), 옥시할라이드(oxyhalides), 전이금속 질화할라이드(transition-metal nitride halides) 또는 알칼리 금속 하이드록사이드(alkaline metal hydroxides) 중 적어도 하나 이상 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 무접합 전계효과 트랜지스터는, 상기 기판 및 상기 게이트 절연층 사이에 백 게이트 전극; 상기 2차원 물질 게이트 절연층 상의 일부분에 탑 게이트 전극; 또는 이둘 모두를 포함하는 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

기판;상기 기판 상의 적어도 일부분에 백 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상의 적어도 일부분에 상에 도핑된 2차원 물질 채널층;상기 게이트 절연층 및 상기 도핑된 2차원 물질 채널층 사이의 일부분에 2차원 물질 게이트 절연층;상기 도핑된 2차원 물질 채널층 상 또는 상기 도핑된 2차원 물질 채널층과 접촉하는 드레인 전극 및 소스 전극을 포함하는 전극; 및 상기 전극 상에 패시베이션층;을 포함하고,상기 도핑된 2차원 물질 채널층 및 상기 2차원 물질 게이트 절연층은 2차원 물질의 나노 시트이고,상기 도핑된 2차원 물질 채널층은, 게이트 절연체에 직접-컨택으로 전하 밀도가 조절되는 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

기판;상기 기판 상에 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상의 적어도 일부분에 도핑된 2차원 물질 채널층;상기 도핑된 2차원 물질 채널층 상의 일부분에 제1 게이트 절연층 및 제2 게이트 절연층;상기 도핑된 2차원 물질 채널층 및 상기 제1 게이트 절연층 사이에 2차원 물질 게이트 절연층;상기 제1 게이트 절연층 상에 탑 게이트 전극;상기 제2 게이트 절연층 상에 제1 게이트 전극; 상기 도핑된 2차원 물질 채널층과 접촉하는 드레인 전극 및 소스 전극을 포함하는 전극; 및상기 전극 상에 패시베이션층;을 포함하고,상기 도핑된 2차원 물질 채널층 및 상기 2차원 물질 게이트 절연층은 2차원 물질의 나노 시트이고,상기 도핑된 2차원 물질 채널층은, 게이트 절연층과 도핑된 2차원 물질 채널층 사이에 5 nm 이하 또는 5 nm 이상의 2차원 물질 게이트 절연층을 넣어 전하밀도가 조절되는 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 도핑된 2차원 물질 채널층은,상기 2차원 물질 게이트 절연층에 상응하는 영역에서부터 연장된 영역을 포함하고, 상기 상응하는 영역과 상기 연장된 영역 간에 높이 차이에 의한 단차를 가지며,상기 연장된 영역은 상기 게이트 절연층과 접촉하는 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 게이트 절연층은,SiO2, SiO, Al2O3, hfO2, ZrO2, Si3N4, TiO2, 또는 ZnO 중 적어도 하나 이상 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 도핑된 2차원 물질 채널층의 두께는, 원자층 두께 이상인 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

삭제

제1항에 있어서,상기 도핑된 2차원 물질 채널층은,V, Nb, Ta, Tc, Re 및 Mn 중 적어도 하나 이상이 도핑된 MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, 또는 MoTe2 중 적어도 하나 이상 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 도핑된 전이금속 다이칼코지나이드의 도핑 농도는, 1018 내지1019 cm-3인 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

삭제

제1항에 있어서,상기 도핑된 2차원 물질 채널층 상에 소스 전극 및 드레인 전극; 및 게이트 절연층 상에 게이트 전극으로 이루어진 전극을 형성하고, 상기 도핑된 2차원 물질 채널층은, 게이트 절연체에 직접-컨택으로 전하 밀도가 조절되는 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 도핑된 2차원 물질 채널층 상에 소스 전극 및 드레인 전극; 및 게이트 절연층 상에 게이트 전극으로 이루어진 전극을 형성하고, 상기 도핑된 2차원 물질 채널층은, 게이트 절연체와 도핑된 2차원 물질 채널층 사이에 5 nm 이하의 2차원 물질 게이트 절연층을 넣어 전하밀도가 조절되는 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 도핑된 2차원 물질 채널층 상에 소스 및 드레인 전극; 및 게이트 절연체에 게이트 전극으로 이루어진 전극을 형성하고, 상기 도핑된 2차원 물질 채널층은, 게이트 절연층과 도핑된 2차원 물질 채널층 사이에 5 nm 이상의 두께로 조절된 2차원 물질 게이트 절연층을 넣어 전하 밀도가 조절되는 것인, 무접합 전계효과 트랜지스터.

제1항, 제3항 또는 제4항의 무접합 전계 트랜지스터를 포함하는, CMOS 소자.

제18항에 있어서,상기 CMOS 소자는 동종타입 CMOS 구조인 것인, CMOS 소자.

제18항에 있어서,상기 CMOS 소자는 기판 효과 기반의 전하밀도에 따라 직접 컨택 영역, 포록시미티 영역 또는 비-컨택 영역을 포함하는 것인, CMOS 소자.