전자 및 양성자가 동시 도핑된 셀레늄 나노와이어 및 이의 제조방법
SELENIUM NANOWIRES CO-DOPED WITH ELECTRONS AND PROTONS AND METHOD OF PREPARING THE SAME
특허 요약
본원은 전자 및 양성자가 동시 도핑(co-doping)된 셀레늄 나노와이어 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 셀레늄 나노와이어를 환원제 처리하여 전자 및 양성자가 동시 도핑된 개질된 셀레늄 나노와이어를 수득하는 것을 포함하는, 개질된 셀레늄 나노와이어의 제조방법. |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 환원제는 아스코르브산(ascorbic acid), 시트르산(citric acid), 말산(malic acid), 및 타타르산(tartaric acid)에서 선택되는 것인, 개질된 셀레늄 나노와이어의 제조방법. |
| 3 | 제 1 항에 있어서,상기 전자 및 양성자가 동시 도핑된 셀레늄 나노와이어의 표면은 주름진 것인, 개질된 셀레늄 나노와이어의 제조방법. |
| 4 | 셀레늄 나노와이어에 전자 및 양성자가 동시 도핑(co-doping)된, 개질된 셀레늄 나노와이어. |
| 5 | 제 4 항에 있어서,상기 개질된 셀레늄 나노와이어는 [001] 방향으로 결정 격자가 확장된 것인, 개질된 셀레늄 나노와이어. |
| 6 | 제 4 항에 있어서,상기 개질된 셀레늄 나노와이어의 직경은 15 nm 내지 50 nm인 것인, 개질된 셀레늄 나노와이어. |
| 7 | 제 4 항에 있어서,상기 개질된 셀레늄 나노와이어의 길이는 200 nm 내지 1 μm인 것인, 개질된 셀레늄 나노와이어. |
| 8 | 제 4 항에 있어서,상기 개질된 셀레늄 나노와이어는 주름진 표면 구조를 갖는 것인, 개질된 셀레늄 나노와이어. |
| 9 | 제 4 항에 따른 개질된 셀레늄 나노와이어를 포함하는, 압광전 촉매. |
| 10 | 제 9 항에 있어서,상기 압광전 촉매는 전자 및 양성자가 동시 도핑된 것인, 압광전 촉매. |
| 11 | 제 9 항에 있어서,상기 압광전 촉매는 p-type 반도체인 것인, 압광전 촉매. |
