| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 상부 전극 및 하부 전극 사이에 개재되는 상전이 물질에 있어서, 인가되는 전압에 따라 가시광 파장 대역의 광 신호에 대해 상이한 광 반사율을 갖는 광 변조 및 상이한 전류 값을 갖는 전기적 스위칭을 동시에 수행하고, 상기 상전이 물질의 광 반사율은, 상기 상전이 물질이 N개의 박막으로 구성되는 조건에 대해 상기 상전이 물질의 표면에서의 전기장과 자기장 및 표면 어드미턴스를 이용하는 미리 설정된 모델에 따라 모델링되며, 상기 미리 설정된 모델은, 상기 상전이 물질을 구성하는 N개의 박막 각각의 두께 및 굴절률의 함수로 정의되고, 상기 상전이 물질에 인가되는 전압 또는 전류는, 상기 미리 설정된 모델에 따라 제어되는 상전이 물질. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 상전이 물질은, 상기 인가되는 전압에 따라 반도체 구조상(Hexagonal; 2H) 및 반금속성 구조상(Octahedral; 1T') 사이에서 상변화를 발생시켜 구조상들 각각에 대응하는 광 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 상전이 물질. |
| 3 | 삭제 |
| 4 | 삭제 |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 상전이 물질은, 상기 인가되는 전압에 따라 반도체 구조상(Hexagonal; 2H) 및 반금속성 구조상(Octahedral; 1T') 사이에서 상변화를 발생시켜 구조상들 각각에 대응하는 전류 값을 갖는 것을 특징으로 하는 상전이 물질. |
| 6 | 삭제 |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 상전이 물질은, 이텔루륨화 몰리브덴(MoTe2)인 것을 특징으로 하는 상전이 물질. |
| 8 | 상부 전극; 하부 전극; 및 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 개재된 채, 인가되는 전압에 따라 가시광 파장 대역의 광 신호에 대해 상이한 광 반사율을 갖는 광 변조 및 상이한 전류 값을 갖는 전기적 스위칭을 동시에 수행하는 상전이 물질을 포함하고, 상기 상전이 물질의 광 반사율은, 상기 상전이 물질이 N개의 박막으로 구성되는 조건에 대해 상기 상전이 물질의 표면에서의 전기장과 자기장 및 표면 어드미턴스를 이용하는 미리 설정된 모델에 따라 모델링되며, 상기 미리 설정된 모델은, 상기 상전이 물질을 구성하는 N개의 박막 각각의 두께 및 굴절률의 함수로 정의되고, 상기 상전이 물질에 인가되는 전압 또는 전류는, 상기 미리 설정된 모델에 따라 제어되는 소자. |
| 9 | 제8항에 있어서,상기 상전이 물질은, 상기 인가되는 전압에 따라 반도체 구조상(Hexagonal; 2H) 및 반금속성 구조상(Octahedral; 1T') 사이에서 상변화를 발생시켜 구조상들 각각에 대응하는 광 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 소자. |
| 10 | 제8항에 있어서,상기 상전이 물질은, 상기 인가되는 전압에 따라 반도체 구조상(Hexagonal; 2H) 및 반금속성 구조상(Octahedral; 1T') 사이에서 상변화를 발생시켜 구조상들 각각에 대응하는 전류 값을 갖는 것을 특징으로 하는 소자. |
| 11 | 제8항에 있어서,상기 소자는, 상기 광 변조 및 상기 전기적 스위칭을 동시에 수행하는 특성에 기초하여, 메모리 또는 광 변조기로 사용되는 것을 특징으로 하는 소자. |
