유기금속화학기상증착 방법을 이용한 Bi2O2Se 박막 제조방법으로, 기상의 프리커서를 제 1 온도에서 분해하는 단계; 상기 분해된 성분으로부터 이용한 Bi2O2Se 화합물을 형성하는 단계; 및상기 Bi2O2Se 화합물을 제 2 온도로 기판 상에 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 방법을 이용한 Bi2O2Se 박막 제조방법.

제 1항에 있어서, 제 2 온도는 제 1 온도 이하인 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 방법을 이용한 Bi2O2Se 박막 제조방법.

제 1항에 있어서, 상기 기상의 프리커서를 제 1 온도에서 분해하는 단계와, 제 2 온도로 기판 상에 증착하는 단계는 열적으로 분리된 별도의 공간에서 진행되는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 방법을 이용한 Bi2O2Se 박막 제조방법.

제 1항에 있어서, 상기 프리커서는 Bi(Ph)3, DMSe 및 산소를 포함하며, 섭씨 400 내지 500도의 온도에서 분해되는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 방법을 이용한 Bi2O2Se 박막 제조방법.

제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 따른 Bi2O2Se 박막 제조방법을 수행하기 위한 장치로서, 챔버; 및 상기 챔버 내로 유입되는 프리커서 각각의 유입라인을 포함하며,상기 챔버는 열적으로 분리되는 2개의 챔버 존을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 방법을 이용한 Bi2O2Se 박막 제조장치.

제 5항에 있어서, 상기 유입라인 각각에는 상기 프리커서 유입량을 제어하기 위한 제어수단이 구비된 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 방법을 이용한 Bi2O2Se 박막 제조장치.

유기금속화학기상증착 방법을 이용한 Bi2O2Se 박막 제조방법으로, 기상의 프리커서를 분해하는 단계; 상기 분해된 성분으로부터 Bi2O2Se 화합물을 형성하는 단계; 및상기 Bi2O2Se 화합물을 기판 상에 증착하는 단계를 포함하며, 상기 분해하는 단계, 형성하는 단계 및 증착하는 단계는 하나의 온도 영역을 갖는 유기금속화학기상증착용 챔버에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 방법을 이용한 Bi2O2Se 박막 제조방법.

제 7항에 있어서, 상기 프리커서는 Bi(Ph)3, DMDSe 및 산소를 포함하며, 섭씨 300 내지 400도의 온도에서 분해되는 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 방법을 이용한 Bi2O2Se 박막 제조방법.

제 8항에 있어서, 상기 유기금속화학기상증착용 챔버의 공정온도는 섭씨 300 내지 400도이며, 이것은 상기 DMDSe의 분해온도 이상인 것을 특징으로 하는 유기금속화학기상증착 방법을 이용한 Bi2O2Se 박막 제조방법.

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