| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 전도성 기판 상에 3차원 고분자 주형을 형성하는 단계;상기 3차원 고분자 주형 내에 1차 금속을 충진하는 단계;상기 3차원 고분자 주형을 제거하여 상기 1차 금속을 포함하는 3차원 금속 주형을 형성하는 단계;상기 3차원 금속 주형을 음극으로 이용하여 전기 도금을 수행하여 상기 3차원 금속 주형의 표면을 따라 2차 금속을 포함하는 3차원 나노 쉘 구조를 형성하는 단계; 및식각 용액을 이용하여 상기 3차원 금속 주형을 제거하는 단계를 포함하는 3차원 금속 나노 쉘 구조의 제조 방법. |
| 2 | 제1항에 있어서, 상기 3차원 고분자 주형을 제거하는 단계는, 리모트 플라즈마 식각으로 수행되는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 나노 쉘 구조의 제조방법. |
| 3 | 제1항에 있어서, 상기 1차 금속은 전이 금속을 포함하고, 상기 2차 금속은 상기 1차 금속과 다른 전이 금속 또는 귀금속을 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 나노 쉘 구조의 제조방법. |
| 4 | 제1항에 있어서, 상기 전기 도금은 소정의 전압이 인가되는 작동기와, 상기 작동기보다 작은 크기의 전압이 인가 되거나 전압이 인가되지 않는 휴식기를 포함하는 펄스 전기 도금인 것을 특징으로 하는 3차원 금속 나노 쉘 구조의 제조방법. |
| 5 | 제4항에 있어서, 상기 2차 금속은 백금을 포함하며, 상기 작동기의 전압은 -0.08V 내지 -0.12V이고, 상기 작동기의 듀티 비율은 1% 내지 10%인 것을 특징으로 하는 3차원 금속 나노 쉘 구조의 제조방법. |
| 6 | 제4항에 있어서, 상기 2차 금속은 백금 및 니켈을 포함하며, 상기 작동기의 전압은 -2.0V 내지 -1.0V 이고, 상기 휴식기의 전압은 -1.0V 내지 +0.5V 이고, 상기 작동기의 듀티 비율은 20% 내지 30% 인 것을 특징으로 하는 3차원 금속 나노 쉘 구조의 제조방법. |
| 7 | 제4항에 있어서, 상기 2차 금속은 금 및 은을 포함하며, 상기 작동기의 전압은 -1.1V 내지 -0.95V이고, 상기 작동기의 듀티 비율은 1% 내지 5%인 것을 특징으로 하는 3차원 금속 나노 쉘 구조의 제조방법. |
| 8 | 제1항에 있어서, 상기 3차원 고분자 주형을 제거한 이후, 상기 3차원 금속 주형에 pH가 3 내지 5인 약산성 용액을 제공하여 산화막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 나노 쉘 구조의 제조방법. |
| 9 | 제1항에 있어서, 상기 3차원 고분자 주형을 제거한 이후, 상기 3차원 금속 주형을 수소 분위기에서의 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 나노 쉘 구조의 제조방법. |
| 10 | 제1항에 있어서, 상기 2차 금속은 둘 이상의 금속 성분을 포함하며, 상기 3차원 금속 주형을 제거한 이후, 상기 2차 금속의 일 성분을 제거하여, 상기 3차원 금속 나노 쉘의 표면에 나노기공을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 나노 쉘 구조의 제조방법. |
| 11 | 제1항에 있어서, 상기 3차원 고분자 주형은, 크기가 10 nm 내지 1,000 nm이고 3차원으로 연결된 기공들을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 나노 쉘 구조의 제조방법. |