| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 화학식 1의 아크리단(acridane) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 PNP 리간드.[화학식 1]화학식 1에서 R, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, C1 |
| 2 | 제1항에 있어서, 화학식 1-1인 것을 특징으로 하는 PNP 리간드.[화학식 1-1] |
| 3 | 제1항의 PNP 리간드와 금속이 결합된 것을 특징으로 하는 금속착물. |
| 4 | 제3항에 있어서, (PNP)MXn (상기 식에서 n=0, 1, 2 또는 3이고, X는 ABC이고, A, B 및 C는 각각 독립적으로 Cl, Br, OTf 또는 OAc임)으로 표현되는 것을 특징으로 하는 금속착물. |
| 5 | 제3항에 있어서, 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 금속 착물.[화학식 2]화학식 2에서 M은 Al, Cr, Fe, Co, Ti, W, Si, Ir, Rh, Pt, Pd, Ru, Th, Ni, Cu, V, Au, Re, Zr 또는 Mo이고, X는 Cl, Br, OTf 또는 OAc이다.[화학식 3]화학식 3에서 M은 Al, Cr, Fe, Co, Ti, W, Si, Ir, Rh, Pt, Pd, Ru, Th, Ni, Cu, V, Au, Re, Zr 또는 Mo이다. |
| 6 | 제3항에 있어서, 화학식 2-1 내지 화학식 2-5 및 화학식 3-1로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 금속착물.[화학식 2-1][화학식 2-2][화학식 2-3][화학식 2-4][화학식 2-5][화학식 3-1] |
| 7 | 다음 단계를 포함하는 화학식 2로 표시되는 금속착물의 제조방법:(a) 화학식 4의 화합물에 3당량의 알킬리튬, 아릴리튬 또는 그리냐르시약(Grignard reagent)과 2당량의 할로겐이 치환된 알킬포스핀 또는 아릴포스핀 및 선형 에테르, 고리형 에테르, 알킬아민, 아릴아민 및 황 화합물로 구성된 군에서 선택된 1종의 화합물을 반응시켜 화학식 5의 화합물을 생성하는 단계; 및(b) 화학식 5의 화합물에 MX2(식에서 M은 Al, Cr, Fe, Co, Ti, W, Si, Ir, Rh, Pt, Pd, Ru, Th, Ni, Cu, V, Au, Re, Zr 또는 Mo이고, X는 Cl, Br, OTf 또는 OAc임)를 첨가하여 메탈화(metallation)시켜 화학식 2의 금속착물을 생성하는 단계;[화학식 2]화학식 2에서 M은 Fe, Co, Ni, Co, Pd 또는 Pt이고, X는 Cl, Br, OTf 또는 OAc이다.[화학식 4][화학식 5] |
| 8 | 다음 단계를 포함하는 화학식 3으로 표시되는 금속착물의 제조방법:(a) 화학식 4의 화합물에 3당량의 알킬리튬, 아릴리튬 또는 그리냐르시약(Grignard reagent)과 2당량의 할로겐이 치환된 알킬포스핀 또는 아릴포스핀 및 선형 에테르, 고리형 에테르, 알킬아민, 아릴아민 및 황 화합물로 구성된 군에서 선택된 1종의 화합물을 반응시켜 화학식 5의 화합물을 생성하는 단계;(b) 화학식 5의 화합물에 MX2(식에서 M은 Al, Cr, Fe, Co, Ti, W, Si, Ir, Rh, Pt, Pd, Ru, Th, Ni, Cu, V, Au, Re, Zr 또는 Mo이고, X는 Cl, Br, OTf 또는 OAc임)를 첨가하여 메탈화시켜 화학식 2의 금속착물을 생성하는 단계; 및(c) 화학식 2의 금속착물에 환원제를 첨가하여 화학식 3의 금속착물을 생성하는 단계;[화학식 2]화학식 2에서 M은 Al, Cr, Fe, Co, Ti, W, Si, Ir, Rh, Pt, Pd, Ru, Th, Ni, Cu, V, Au, Re, Zr 또는 Mo이고, X는 Cl, Br, OTf 또는 OAc이다.[화학식 3]화학식 3에서 M은 Al, Cr, Fe, Co, Ti, W, Si, Ir, Rh, Pt, Pd, Ru, Th, Ni, Cu, V, Au, Re, Zr 또는 Mo이다.[화학식 4][화학식 5] |