| 번호 | 청구항 |
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| 1 | p층 위에 n웰이 형성되는 복수개의 가이거 모드 아발란치 포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 및 상기 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체 상의 IC 기판;을 구비하는 실리콘 광전자 증배센서이며, 상기 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체는 광이 조사되는 방향을 따라서 순차적으로 배치된 p+웰, p-에피택셜층, n+웰을 포함하고, 상기 n+웰의 에지에 추가적인 n 타입 도핑을 통해 형성된 n-웰 가드링(guard ring)을 더 포함하며, 센싱하고자 하는 광은 상기 p+웰에서 상기 IC 기판 방향으로 조사되는 광을 포함하고,상기 복수개의 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체와 상기 IC 기판 사이에 개재되어, 하나의 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체에서 발생하는 2차 광자가 인접한 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체로 이동하는 것을 차단하는, 서로 이격된 복수개의 광자 차단막을 더 포함하고,상기 복수개의 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체 각각과 상기 광자 차단막 사이에 개재되고, 산화막으로 이루어진 절연막을 더 포함하고, 상기 광자 차단막은 금속을 포함하여 상기 2차 광자를 통과시키지 않고 반사하는 반사막으로 이루어지며,상기 절연막을 관통하여 상기 n+웰과 상기 복수개의 광자 차단막을 연결하는 도전 통로인 콘택 패턴; 및하나의 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체에서 발생하는 2차 광자가 인접한 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체로 이동하는 것을 차단하도록, 상기 복수개의 가이거 모드 아발란치 포토다이오드 구조체 각각의 사이에 개재되는 복수개의 다른 차단막을 더 포함하는, 이면 조사형 실리콘 광전자 증배센서. |
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| 3 | 제 1 항에 있어서,상기 n+웰은 상기 p-에피택셜층의 양면 중 상기 IC 기판과 대면하는 면을 통한 n 타입 도핑에 의하여 상기 p-에피택셜층 내에 형성된, 이면 조사형 실리콘 광전자 증배센서. |
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