청구항 9에 있어서, 상기 (b)단계에서의 박막의 두께는 10nm 이상 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 전자수송층 제조 방법.

청구항 9에 있어서, 상기 (c)단계에서의 편광레이저는 300nm 이상 1500nm 이하의 UV~NIR 파장영역대를 가지는 것을 특징으로 하는 전자수송층 제조 방법.

유기반도체재료에 있어서, 전자끌개 작용기를 포함하는 전하수송물질; 및상기 전하수송물질에 결합되는 하나 이상의 억셉터물질 또는 도너물질; 을 포함하여 이루어지고,상기 전하수송물질과 상기 억셉터물질 또는 상기 도너물질의 결합체는 소정의 쌍극자 모멘트를 나타내는 것을 특징으로 하는 유기반도체재료.

청구항 1에 있어서,상기 전하수송물질은 선형(linear)구조를 가지고, 상기 억셉터물질 또는 상기 도너물질은 상기 전하수송물질의 어느 한 곳의 부위에만 결합하여 쌍극자 모멘트를 변화하는 것을 특징으로 하는 유기반도체재료.

청구항 1에 있어서, 상기 전하수송물질은 대칭(symmetric)구조를 가지고, 상기 억셉터물질 또는 도너물질은 상기 전하수송물질에 하나 이상 비대칭적으로 결합하여 쌍극자 모멘트를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기반도체재료.

청구항 1에 있어서, 상기 전자끌개 작용기는 헤테로 방향족 고리(hetero aromatic ring)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기반도체재료.

청구항 4에 있어서,상기 헤테로 방향족 고리는 피리딘, 트리아진, 옥사디아졸, 트리아졸, 실롤, 디메시틸보레인으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기반도체재료.

청구항 1에 있어서, 상기 억셉터물질은 할로겐 원소 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기반도체재료.

청구항 1에 있어서,상기 도너물질은 메틸기(-CH3), 메톡시기(-OCH3), 디메틸아미노기(-N(CH3)2), 트리메틸실릴기(-Si(CH3)3로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기반도체재료.

청구항 1의 유기반도체재료를 제조하는 방법에 있어서,(i) 상기 전하수송물질을 준비하는 단계; 및(ii) 상기 전하수송물질에 하나 이상의 상기 억셉터물질 또는 상기 도너물질을 결합하는 단계; 를 포함하며,상기 (ii)단계에서의 결합은 스즈키 커플링(Suzuki coupling) 및 딜스-알더(Diels-Alder) 반응을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기반도체재료 제조 방법.

전자수송층 제조 방법에 있어서, (a) 유기반도체재료를 제조하는 단계; (b) 기판에 상기 유기반도체재료를 포함하는 박막을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 박막에 편광레이저를 조사하여 상기 유기반도체재료가 분자 정렬되는 단계; 를 포함하여 이루어지고, 상기 유기반도체재료는 청구항 1내지 청구항 7중에서 선택되는 어느 한 항에 따른 유기반도체재료로 되며, 상기 (c)단계에서 상기 편광레이저와 상기 유기반도체재료의 쌍극자 모멘트 방향의 매칭으로 상기 유기반도체재료가 분자 정렬되어 전자이동도가 향상되는 것을 특징으로 하는 전자수송층 제조 방법.

상기 (c)단계에서의 상기 편광레이저는 20W 이하의 출력과 1hz이상 1000khz 이하의 펄스 등의 조건을 가지는 것을 특징으로 하는 전자수송층 제조 방법.

청구항 9에 있어서,상기 (c)단계에서 상기 쌍극자 모멘트 방향은 상기 박막면에 수평방향으로, 상기 분자 정렬은 상기 박막면에 대하여 수직방향으로 배열되어 전자이동도가 향상되는 것을 특징으로 하는 전자수송층 제조 방법.

청구항 9에 의해 제조되는 전자수송층.

기판, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 및 음극을 포함하여 이루어지고, 상기 전자수송층은 청구항 14의 전자수송층으로 되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.