프로젝트 소개
본 과제는 강자성반도체 GaMnAs 다층구조에서 층과 층 사이의 층간교환상호작용(IEC)을 전하로 제어해 스핀을 다루는 gate제어 스핀트로닉 소자 기능을 구현하는 연구임.
연구목표는 전하 역할을 체계적으로 규명하고, 전하농도 조절 기능을 IEC 제어에 응용하는 방법 개발 정립임. 핵심 연구내용은 MBE 박막 성장으로 비대칭 삼중층 및 GaMnAs/GaAs 최적 다층구조 제작, 홀 효과·자기저항·전자이송 실험, IEC효과 자화배열 수치모사 및 IEC phase diagram 작성, 장거리 IEC 최대거리 측정과 자기에너지·자화전환 과정 규명 후 전기적 IEC 제어 기반 기억 소자 및 다중 저항 상태 구현임. 기대효과는 새로운 물리현상 발견과 자화제어 원리 전환, 측정·가공·나노소자 기술 고도화 및 차세대 전자산업·일자리 창출 기여임