Highly p-도핑된 기능성 유·무기 복합 반도체

2024과학기술정보통신부개인기초연구(과기정통부)
프로젝트 소개
본 과제는 전기를 잘 통하면서도 빛이 통과하는 새로운 고분자전해질 소재를 개발하고, 이를 반도체 소자의 도핑에 활용하는 연구임. 금속 원자와 유기 소재를 결합하여 기존 유기 반도체의 낮은 전도성과 불안정성을 개선하고, 소자 내부에서 이온이 이동하는 원리를 규명하는 연구임. 연구 목표는 다양한 금속 원자의 특성을 활용해 높은 투명성, 높은 전도성, 약산성을 갖는 유·무기 하이브리드 이온 고분자 소재를 확보하고, 이온 제어 기반의 도핑 기술을 확립하는 데 있음. 핵심 연구 내용은 알칼리 금속, 전이 금속 및 13~16족 금속 기반 고분자 전해질의 합성, 전자구조와 물리화학적 특성 분석, 트랜지스터·태양전지·다이오드 적용임. 또한 Ionic diode와 OECT를 제작하고 ToF-SIMS를 활용해 금속 이온의 표면·계면 분포, mobile 특성, poling effect 및 전하 수송 메커니즘을 규명함. 기대 효과는 유기·무기 반도체의 도핑 기술 발전, 이온 소자와 뉴로모픽·바이오 소자 응용 확대, 관련 신진 연구 인력 양성 및 고부가가치 산업 창출임.
고분자전해질전자구조발광트랜지스터도핑반도체polyelectrolyteelectronic stucturelight emitting transistordopingsemiconductor
참여형태
주관
사업명
개인기초연구(과기정통부)
부처명
과학기술정보통신부
주관기관명
서울시립대학
과제 수행연도
2024
과제 수행기간
2023.09.01 ~ 2028.02.29
과제 고유번호
2710003367
연구 개발단계
기초연구
연구비
총연구비
131,376,000
정부지원연구개발비
131,376,000
위탁연구비
0
민간연구비
0
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
주관서울시립대학대학서울특별시
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL