이중벽 탄소나노튜브의 in-situ 보론 도핑을 통한 차세대 플렉시블 디스플레이용 투명 전극 개발

2013교육부일반연구자지원(교육부)
프로젝트 소개
본 과제는 기존 ITO 등을 대체할 차세대 소재인 탄소나노튜브 투명전극의 성능을 높이기 위해 전기 전도도와 투명성을 개선하는 핵심 기술을 개발하는 연구임. 연구 목표는 DWCNT의 전자구조를 조절하고 전도도를 높이기 위한 in-situ boron 도핑 기술 확보에 있음. 주요 내용은 이중벽 탄소나노튜브의 도핑 공정 개발, 도핑 농도 제어, 1000℃ 이하 저온 도핑 공정, 고순도 정제 기술 확립 및 Raman spectroscopy와 XPS 기반 특성 분석 수행임. 기대 효과는 차세대 투명전극 상용화 촉진, 유기태양전지·스마트 윈도우 등 다양한 전기전자 분야 적용 확대 및 국내 기업의 시장 경쟁력 강화임.
In situ 도핑투명전극탄소나노튜브전자 구조 제어면저항플렉시블 디스플레이터치스크린저온 도핑p type 도핑in situ dopingtransparent conducting filmcarbon nanotubecontrol electronic structuresheet resistanceflexible displaytouch screenrow temperature doping processp type doping
참여형태
주관
사업명
일반연구자지원(교육부)
부처명
교육부
주관기관명
서울시립대학교
과제 수행연도
2013
과제 수행기간
2011.05.01 ~ 2014.04.30
과제 고유번호
1345199894
연구 개발단계
기초연구
연구비
총연구비
56,400,000
정부지원연구개발비
56,400,000
위탁연구비
0
민간연구비
0
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
주관서울시립대학교대학서울특별시
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL