IIIV 반도체 Channel CMP 및 Post CMP 세정 공정 개발

2019산업통상자원부소재부품산업미래성장동력(R&D)
프로젝트 소개
본 과제는 차세대 III-V 반도체 재료인 InP, InGaAs 박막의 CMP 공정과 post-CMP 세정을 안정화하는 연구임. 연구목표는 InP, InGaAs CMP/식각 문헌조사로 공정 한계와 열화요인 파악하고, IR Spectroscopic ellipsometry(IR-SE), AFM 등으로 박막 두께·표면 조도 평가법 확립하며, 화학액 조성(농도, pH)과 연마 입자 종류에 따른 dissolution, passivation, 연마거동을 규명하는 것임. 기대효과는 CMP 적합 조건 도출로 실험 안전 확보, CMP 문제점 저감, 슬러리 파티클 제거 효율 향상 및 post-CMP material loss 최소화임
III V 채널화학적 기계적 평탄화 (CMP)CMP 후 세정슬러리세정액III V ChannelChemical Mechanical PlanarizationPost CMP CleaningSlurryCleaning Solution
참여형태
협동
사업명
소재부품산업미래성장동력(R&D)
부처명
산업통상자원부
주관기관명
한국반도체연구조합
협동수행기관명
포항공과대학교산학협력단, 서울과학기술대학교 산학협력단, 아주대학교산학협력단, 서울대학교산학협력단, 한국과학기술원, 성균관대학교산학협력단, 전북대학교산학협력단, 한양대학교 에리카 산학협력단, 서울대학교산학협력단, 대전대학교산학협력단, 성균관대학교산학협력단, 한양대학교 에리카 산학협력단, 한양대학교 에리카 산학협력단, 한양대학교 에리카 산학협력단, 한양대학교산학협력단, 한양대학교산학협력단, 한국과학기술원, 연세대학교 산학협력단, 성균관대학교산학협력단
공동/위탁수행기관명
연세대학
과제 수행연도
2019
과제 수행기간
2019.07.01 ~ 2021.06.30
과제 고유번호
1415164246
연구 개발단계
기초연구
연구비
총연구비
112,180,000 원
정부지원연구개발비
100,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
12,180,000 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
협동포항공과대학교산학협력단대학경상북도
협동서울과학기술대학교 산학협력단대학서울특별시
협동아주대학교산학협력단대학경기도
협동서울대학교산학협력단대학서울특별시
협동한국과학기술원대학대전광역시
협동성균관대학교산학협력단대학경기도
주관한국반도체연구조합기타경기도
협동전북대학교산학협력단대학전라북도
협동한양대학교 에리카 산학협력단대학경기도
협동서울대학교산학협력단대학서울특별시
협동대전대학교산학협력단대학대전광역시
협동성균관대학교산학협력단대학경기도
협동한양대학교 에리카 산학협력단대학경기도
협동한양대학교 에리카 산학협력단대학경기도
협동한양대학교 에리카 산학협력단대학경기도
협동한양대학교산학협력단대학서울특별시
협동한양대학교산학협력단대학서울특별시
협동한국과학기술원대학대전광역시
협동연세대학교 산학협력단대학서울특별시
협동성균관대학교산학협력단대학경기도
공동/위탁기관 정보1건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
공동연세대학대학연구·기술개발-35,000,000
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL