프로젝트 소개
본 과제는 차세대 반도체 제조의 핵심 기술인 극자외선(EUV) 리소그래피 공정에서 사용될, 빛에 반응하는 무기물 기반의 얇은 막 소재와 그 원료(전구체)를 개발하는 연구임. 기존 유기물 기반의 습식 공정 한계를 극복하고, 더욱 미세하고 정교한 반도체 회로를 만드는 데 필요한 건식 무기 포토레지스트 기술 확보를 목표로 함.
연구 목표는 무기 포토레지스트 및 언더레이어 전구체 개발 및 특성 개선임. Te, Ti, In, Sn, Zr, Hf 등 금속 함유 전구체 개발, 건식 증착 공정 적용 가능성 스크리닝 및 조건 확보, 전구체 특성 조절 리간드 설계 및 합성을 통해 양산화 대상 후보 물질군을 도출하는 것임. 핵심 연구 내용은 무기 박막형 포토레지스트용 Ti, In 중심 금속 전구체 개발, 건식 증착 공정 조건 확보, Sn, Zr, Hf 중심 금속 전구체 특성 개선, 리간드 설계 및 합성, 전구체 중간체 대량 합성 및 품질 확보, e-beam 조사에 의한 무기 포토레지스트 특성 변화 분석을 포함함. 기대 효과는 기존 패터닝 기술 한계를 넘어선 건식 무기 포토레지스트 기반 패터닝 기술 제시를 통해 관련 학문 및 응용 연구에 기여하는 것임. 또한, 국내 반도체 산업의 차세대 패터닝 공정 로드맵 및 기술 표준화를 제시하여 초격차 경쟁력 유지에 핵심 기반기술로 활용될 것으로 전망됨.