프로젝트 소개
본 과제는 NAND 및 DRAM과 같은 반도체 메모리 장치의 신뢰성과 성능을 검증하기 위한 첨단 테스터를 개발하는 연구임. 특히, 고온 환경에서 메모리 칩의 안정성을 시험하는 고 발열 챔버 기반의 Burn-In(BI) 테스터와 고속으로 DRAM 개별 칩의 성능을 측정하는 Component 테스터 개발을 목표로 함.
연구 목표는 6Gbps급 128para용 DRAM Component 테스터 개발 및 24kW급 발열량과 ±4.5도 이내의 온도 균일성을 갖는 고 발열 챔버 기반의 NAND/DRAM BI 테스터 개발임. 또한, 600W 발열량의 발열보드 설계 및 약 200para 번인 보드 개발, 신규 장비의 소프트웨어(OS) 개발을 포함함.
핵심 연구 내용은 고속 신호 생성 기술 및 ASIC용 PKG, 고속 신호용 인터페이스 개발을 통해 6Gbps급 DRAM Component 테스터의 half 수준을 구현하는 것임. 고 발열 챔버는 24kW급 발열량 환경에서 ±4.5도 이내의 온도 균일성을 갖도록 냉동기, 히터, 내벽 구조 및 공기 흐름 조절 기술을 개발하며, 챔버 제작 및 Tester part 개발을 진행함. 고발열 환경 구성을 위한 발열보드 설계 및 제작, 10k 병렬 테스트 가능한 번인 테스터 장비 개발, 고속 Repair 기능을 위한 개별 CPU 보드 개발이 포함됨. 신규 장비의 소프트웨어는 Linux 기반 OS로 고속 및 고발열 Device에 최적화하여 개발함.
기대 효과는 신제품 출시를 통한 매출 및 수출 증대, 약 10여 명의 신규 개발 엔지니어 고용 창출, 신제품 출시를 위한 기반 기술 확보가 예상됨. 더불어 반도체 관련 기업의 성장 및 SCM 시스템 구축을 통한 중소 협력업체와의 동반 성장 효과가 기대됨.