초고층 3D NAND 메모리를 위한 고이동도 채널/유전막 신소재 개발 및 AI 기반 대규모 해석 플랫폼 구축

2023산업통상자원부민관공동투자반도체고급인력양성사업(R&D)
프로젝트 소개
본 과제는 500단 이상 3D NAND 메모리 셀을 더 고성능·고집적으로 만드는 기술 개발 연구임. 연구 목표는 차세대 유전막/채널 구조의 게이트 스택·동작 기법을 개발하고, 3D 집적 모듈 공정 및 셀 스케일링 공정을 개선하며, AI 기반 어레이 동작 기법 최적화와 신뢰성 실증을 수행하는 데 있음. ALD, VHF-PEALD 공정과 고이동도 채널, 유전막 특성 추출 및 변동성 분석, DTCO향 모델링, 머신러닝 기반 산포 최소화, AI 메모리 통합 플랫폼 구축을 핵심 연구 내용으로 함. 기대 효과는 변동성 감소와 신뢰성 향상, 시간 단축과 정확성 향상, 강유전체 기반 3D NAND 기술 선점 및 국내 반도체 산업 경쟁력 강화임.
고이동도 채널 물질메모리 스케일링 기술초고층 3D NAND 메모리 집적 모듈 공정메모리 동작 기법 최적화AI 기반 변동성 컴팩트 모델링 해석 플랫폼High mobility channel materialsMemory scaling technologyUltrahigh 3D NAND memory integrated module processOptimization for scheme of memory operationsAI-based analysis platform for variability and compact modeling
참여형태
주관
사업명
민관공동투자반도체고급인력양성사업(R&D)
부처명
산업통상자원부
주관기관명
포항공과대학
공동/위탁수행기관명
한국과학기술원, 서울시립대학
과제 수행연도
2023
과제 수행기간
2023.04.01 ~ 2027.12.31
과제 고유번호
1415187390
연구 개발단계
응용연구
연구비
총연구비
329,743,000 원
정부지원연구개발비
300,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
29,743,000 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
주관포항공과대학대학경상북도
공동/위탁기관 정보2건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
공동한국과학기술원대학인력양성-150,000,000
공동서울시립대학대학인력양성-50,000,000
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL