프로젝트 소개
본 과제는 실리콘 나노 CMOS 기반으로 250GHz 이상에서 mW급(0dBm 이상) 출력파워를 내는 고출력 서브테라헤르츠 신호원과 0.5THz 이상에서 ？5dBm 이상의 최고 성능 신호원을 개발하는 연구임.
연구 목표는 발진주파수·출력파워 향상, 그리고 하모닉을 활용한 확장형 신호원 구현임. 핵심 연구 내용은 CMOS 서브테라헤르츠 발진구조(CMOS 기생 캐패시턴스 Zero CMOS 발진기, 최대발진주파수 동작 회로, 기본파발진주파수 > 250GHz)와 코어발진기 출력파워 개선, 최대전력전송 임피던스 매칭, Power Combining 기법 개발, 광대역 주파수분주기·서브테라헤르츠 대역 트랜지스터/안테나·인덕터/트랜스포머(Q-factor > 25, FSR > 500GHz) 설계 및 측정시스템 구축임. 기대효과는 테라헤르츠 통신·이미징·분광, 안전한 생체/인체진단 및 비파괴·비접촉 검사에 활용 가능함.