프로젝트 소개
본 과제는 반도체 MOSFET의 초미세화 한계를 넘기 위해 vdW 소재를 활용한 계면 제어와 초고유전체 개발을 추진하는 연구임.
연구 목표는 vdW 소재의 직성장 공정, 금속/반도체 접합특성 향상, 게이트 유전체/반도체 계면 결함 저감, k>70 초고유전체 확보에 있음. 핵심 연구 내용은 저온 직성장 공정, 금속/vdW/반도체 초박막 접합 형성, DFT modeling과 STM/STS 기반 적층 계면구조 설계, PECVD법 기반 high-k 탄화수소 박막 및 할로겐 치환 초고유전체 구현임. 기대 효과는 게이트 유전체와 접합 문제 극복을 통한 고집적 저전력 고성능 소자 실용화 기반 확보, 반도체 산업 초격차 유지, 전주기 플랫폼 연구체계 구축, 고급 인력 양성 및 기술 확산임.