고전력 반도체 용 SiC 기판 세정을 위한 고청정 세정액 개발 및 이를 이용한 세정 기술 개발

2022산업통상자원부전자부품산업기술개발(R&D)
프로젝트 소개
본 과제는 SiC(탄화규소) 기판의 연마·세정·식각을 더 정확히 하도록, 오염과 결함이 생기는 원리와 최적 화학액 조건을 찾는 연구임. 연구목표는 SiC 기판 세정 원리 규명과 SiC 세정액 개발을 위한 산화제·식각제 평가, 오염 원인 및 Defect 형성 기구 규명을 위한 분석 기반 기술 확보임. 핵심내용은 문헌/특허 조사로 반응 화학액 조건을 정리하고, 마이크로 유체기술로 식각율·산화율을 정밀 스크리닝함. Spectroscopy ellisopmetry, AFM, 접촉각, 제타 전위, FTIR-ATR, SIMS, ICP-MS/ICP-OES, KLA CS10으로 표면화학·입자·유기물·금속 이물의 정량 분석을 수행함. 기대효과는 SiC 습식세정 공정의 재현성 향상과 결함 저감용 세정액 및 조건 확보됨.
탄화규소세정액오염 입자식각액결함SiCCleaning solutionParticleEtching solutionDefect
참여형태
협동
사업명
전자부품산업기술개발(R&D)
부처명
산업통상자원부
주관기관명
(사)한국반도체연구조합
협동수행기관명
호서대학, 한양대학, 성균관대학, 인하대학, 한양대학, 나노종합기술원, 한양대학, 한국과학기술원, 서울과학기술대학, 경북대학, (재)한국표준과학연구원, 서울대학, 인천대학, 한양대학, 연세대학, 한양대학, 한양대학, 전남대학, 서울대학, 동국대학, 이화여자대학, 연세대학, 연세대학, 성균관대학, (재)한국표준과학연구원, 한국산업기술대학, 한양대학, 서울과학기술대학, 아주대학, 충남대학, 연세대학, 한국과학기술원, 성균관대학, 영남대학
과제 수행연도
2022
과제 수행기간
2022.04.01 ~ 2024.12.31
과제 고유번호
1415180247
연구 개발단계
개발연구
연구비
총연구비
160,800,000 원
정부지원연구개발비
150,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
10,800,000 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
협동호서대학대학기타
협동한양대학대학기타
협동성균관대학대학경기도
협동인하대학대학인천광역시
협동한양대학대학기타
협동나노종합기술원출연연구소대전광역시
협동한양대학대학서울특별시
협동한국과학기술원대학기타
협동서울과학기술대학대학기타
협동경북대학대학기타
협동(재)한국표준과학연구원출연연구소대전광역시
협동서울대학대학기타
협동인천대학대학기타
협동한양대학대학기타
협동연세대학대학서울특별시
협동한양대학대학기타
협동한양대학대학경기도
주관(사)한국반도체연구조합기타경기도
협동전남대학대학기타
협동서울대학대학기타
협동동국대학대학기타
협동이화여자대학대학기타
협동연세대학대학기타
협동연세대학대학기타
협동성균관대학대학기타
협동(재)한국표준과학연구원출연연구소기타
협동한국산업기술대학대학기타
협동한양대학대학기타
협동서울과학기술대학대학기타
협동아주대학대학기타
협동충남대학대학기타
협동연세대학대학서울특별시
협동한국과학기술원대학기타
협동성균관대학대학경기도
협동영남대학대학기타
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL